TrenchFET®Gen IV技术确立行业性能基准显著降低开关和传导损耗
发布时间:2023/12/30 20:51:22 访问次数:9
功率模块含有功率MOSFET和先进的驱动IC。
为提高能效，器件内部MOSFET采用先进的TrenchFET®Gen IV技术，这一技术确立行业性能基准，显著降低开关和传导损耗。
SiC8xx智能功率模块各种应用条件下峰值能效可达93%以上。轻载时可启用二极管仿真模式，提高全负载范围的效率。
器件适用于同步降压转换器、CUP和GPU的多相VRD、存储器以及DC/DC VR模块。
制造商:Xilinx 产品种类:FPGA - 现场可编程门阵列 RoHS: 详细信息 产品:Virtex-4 系列:XC4VLX15 逻辑元件数量:13824 LE 自适应逻辑模块 - ALM:6144 ALM 嵌入式内存:864 kbit 输入/输出端数量:240 I/O 工作电源电压:1.2 V 最小工作温度:0 C 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-363 商标:Xilinx 分布式RAM:96 kbit 内嵌式块RAM - EBR:864 kbit 最大工作频率:500 MHz 湿度敏感性:Yes 逻辑数组块数量——LAB:1536 LAB 产品类型:FPGA - Field Programmable Gate Array 工厂包装数量:90 子类别:Programmable Logic ICs 商标名:Virtex 单位重量:18.490 g
器件的局限性迫使开发人员做出综合权衡，要么限制功能，要么缩短电池寿命或增大方案尺寸。Maxim基础模拟产品线中的三款新型高效电源IC具有业界领先的最低静态电流和最小方案尺寸优势，有助于缓解这种两难的选择。
器件能够产生高达2A的开关电流，是最接近的竞争方案的两倍。而静态电流消耗仅为350nA，是竞争方案的一半。
升压转换器非常适合负载(例如显示器或传感器)要求较高供电电压的电池供电系统。
功率模块含有功率MOSFET和先进的驱动IC。
为提高能效，器件内部MOSFET采用先进的TrenchFET®Gen IV技术，这一技术确立行业性能基准，显著降低开关和传导损耗。
SiC8xx智能功率模块各种应用条件下峰值能效可达93%以上。轻载时可启用二极管仿真模式，提高全负载范围的效率。
器件适用于同步降压转换器、CUP和GPU的多相VRD、存储器以及DC/DC VR模块。
制造商:Xilinx 产品种类:FPGA - 现场可编程门阵列 RoHS: 详细信息 产品:Virtex-4 系列:XC4VLX15 逻辑元件数量:13824 LE 自适应逻辑模块 - ALM:6144 ALM 嵌入式内存:864 kbit 输入/输出端数量:240 I/O 工作电源电压:1.2 V 最小工作温度:0 C 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-363 商标:Xilinx 分布式RAM:96 kbit 内嵌式块RAM - EBR:864 kbit 最大工作频率:500 MHz 湿度敏感性:Yes 逻辑数组块数量——LAB:1536 LAB 产品类型:FPGA - Field Programmable Gate Array 工厂包装数量:90 子类别:Programmable Logic ICs 商标名:Virtex 单位重量:18.490 g
器件的局限性迫使开发人员做出综合权衡，要么限制功能，要么缩短电池寿命或增大方案尺寸。Maxim基础模拟产品线中的三款新型高效电源IC具有业界领先的最低静态电流和最小方案尺寸优势，有助于缓解这种两难的选择。
器件能够产生高达2A的开关电流，是最接近的竞争方案的两倍。而静态电流消耗仅为350nA，是竞争方案的一半。
升压转换器非常适合负载(例如显示器或传感器)要求较高供电电压的电池供电系统。
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