EPC9156开发板采用EPC21603 eToF™激光驱动集成电路，主要用于驱动短、大电流脉冲的激光二极管。功能包括最小脉冲宽度<2ns，峰值电流为10A，母线电压额定值为30V。

R-Car V3H片上系统（SoC）的系统提供全新电源与功能安全解决方案，用于高级驾驶辅助系统（ADAS）如前置摄像头和驾驶员监控摄像头等应用。

全新解决方案包含42V同步降压预调节器——RAA271050，可连接车辆12V电源电压，并将其降压至3.3V或5V中间电压。

制造商:    Infineon

产品种类:    MOSFET

RoHS:    详细信息

技术:    Si

安装风格:    SMD/SMT

封装 / 箱体:    TISON-8

晶体管极性:    N-Channel

通道数量:    2 Channel

Vds-漏源极击穿电压:    25 V

Id-连续漏极电流:    40 A

Rds On-漏源导通电阻:    2.5 mOhms, 900 uOhms

Vgs - 栅极-源极电压:    - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:    1.2 V

Qg-栅极电荷:    12 nC, 37 nC

最小工作温度:    - 55 C

最大工作温度:    + 150 C

Pd-功率耗散:    2.5 W

通道模式:    Enhancement

商标名:    OptiMOS

封装:    Cut Tape

封装:    MouseReel

封装:    Reel

配置:   Dual

高度:   1.27 mm

长度:   5.9 mm

晶体管类型:   2 N-Channel

宽度:   5.15 mm

商标:   Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:   38 S, 65 S

下降时间:   2.2 ns, 4 ns

产品类型:   MOSFET

上升时间:   2.8 ns, 5.4 ns

工厂包装数量:   5000

子类别:   MOSFETs

典型关闭延迟时间:   15 ns, 25 ns

OPB735XWZ产品含有符合UL 1569标准的＃28 AWG导线。也可提供定制的电气部件、线缆和连接器。

该传感器具有紧凑型设计、宽工作温度范围和封装部件，为设计人员提供了一个极佳的反射传感解决方案，可在同一系统内的多个位置使用，以发挥最大的作用。

无论选择哪种元件输出，仅当某一反射物体在其视场内通过时，探测器才会对红外线发射二极管（IRED）的辐射做出响应。

OPB735产品并排封装在一个低成本的黑色热塑性外壳内的会聚光轴上。

DSPIC33EP512MU810-I/PT