串行ATA工作组的成员公司已经超过100家，其中包括如APT、戴尔、英特尔、迈拓和希捷科技等业界领先厂家。

串行ATA的增强规范串行ATA II的制订工作也已完成第二阶段。

第一阶段是服务器和网络存储特性的定义。其中包括解决服务器工作负载问题的新性能特性和改进串行ATA与存储附件集成问题的基础设施附加特性。

附加特性包括附件管理服务和背板互连支持。

制造商:    Infineon    

产品种类:    MOSFET    

RoHS:    详细信息  

技术:    Si    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    TISON-8    

晶体管极性:    N-Channel    

通道数量:    2 Channel    

Vds-漏源极击穿电压:    25 V    

Id-连续漏极电流:    50 A, 50 A    

Rds On-漏源导通电阻:    2.4 mOhms, 3.2 mOhms    

Vgs - 栅极-源极电压:    - 16 V, + 16 V    

Vgs th-栅源极阈值电压:    1.6 V    

Qg-栅极电荷:    5.6 nC, 15 nC    

最小工作温度:    - 55 C    

最大工作温度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    2.5 W, 6.25 W    

通道模式:    Enhancement    

商标名:    OptiMOS    

封装:    Reel    

高度:   1.15 mm  

长度:   6 mm  

系列:   OptiMOS 5  

晶体管类型:   2 N-Channel  

宽度:   5 mm  

商标:   Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值:   46 S, 70 S  

下降时间:   1.4 ns, 1.7 ns  

产品类型:   MOSFET  

上升时间:   2.8 ns, 4.7 ns  

工厂包装数量:   5000  

子类别:   MOSFETs  

典型关闭延迟时间:   4.3 ns, 5.7 ns,  

典型接通延迟时间:   3.6 ns, 4.3 ns  

零件号别名:  BSG0813NDI SP001241676

各大便携式设备制造商都相信国家半导体有能力提供各种创新的电源管理芯片，确保手机及其他采用电池供电的便携式设备可以更长时间使用，满足日益增长的用户需要。

对于效率具有关键作用的应用方案来说，磁性转换器是一个理想的解决方案。

低电压产品包括 LM2608、LM2614 和 LM2618 等多款磁性降压直流/直流转换器以及 LM2788 和 LM2798 开关电容降压转换器，全部属于高密度、高集成度的降压转换器解决方案，不但输出准确、效率较高，而且还有多种不同的先进微型封装可供厂商选择。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）