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5mm过电压电涌放电器低至-136dBm的接收(RX)灵敏度

发布时间:2021/4/8 18:40:19 访问次数:600

全新GDT系列延续了客户所期望的质量、创新和卓越工程的传统。

GDT25系列设计的速度和坚固性展示出5 mm过电压电涌放电器的新标准,特别是有着7仟安培,8/20微秒波形的耐浪涌电流额定值以及一秒可以承受7安培交流放电电流为特色。

我们提供了额外的保护解决方案设计资源,以帮助工程师们简化原型测试。

Bourns® GDT25也提供了设计包,每个设计包包含了每个GDT25型号各5件。

制造商:    Infineon    

产品种类:    MOSFET    

技术:    Si    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    TSDSON-8    

商标名:    OptiMOS    

封装:    Reel    

高度:   1.1 mm  

长度:   3.3 mm  

宽度:   3.3 mm  

商标:   Infineon Technologies  

产品类型:   MOSFET  

子类别:   MOSFETs  

零件号别名:  BSZ076N06NS3 G SP000454420 BSZ76N6NS3GXT


模块拥有高达18.6 dBm的发射 (TX) 功率和低至-136 dBm的接收 (RX) 灵敏度,并通过了FCC(美国)、IC(加拿大)和RED/CE(欧洲)认证。

贸泽还供货WLR089 Explained Pro评估套件。

该套件便于用户访问WLR089U0模块和ATSAMR34J18B器件的各种功能,还提供额外的外设来扩展电路板功能、简化定制设计开发。

该套件由Atmel Studio集成开发平台提供支持,可提供预定义应用程序示例。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

全新GDT系列延续了客户所期望的质量、创新和卓越工程的传统。

GDT25系列设计的速度和坚固性展示出5 mm过电压电涌放电器的新标准,特别是有着7仟安培,8/20微秒波形的耐浪涌电流额定值以及一秒可以承受7安培交流放电电流为特色。

我们提供了额外的保护解决方案设计资源,以帮助工程师们简化原型测试。

Bourns® GDT25也提供了设计包,每个设计包包含了每个GDT25型号各5件。

制造商:    Infineon    

产品种类:    MOSFET    

技术:    Si    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    TSDSON-8    

商标名:    OptiMOS    

封装:    Reel    

高度:   1.1 mm  

长度:   3.3 mm  

宽度:   3.3 mm  

商标:   Infineon Technologies  

产品类型:   MOSFET  

子类别:   MOSFETs  

零件号别名:  BSZ076N06NS3 G SP000454420 BSZ76N6NS3GXT


模块拥有高达18.6 dBm的发射 (TX) 功率和低至-136 dBm的接收 (RX) 灵敏度,并通过了FCC(美国)、IC(加拿大)和RED/CE(欧洲)认证。

贸泽还供货WLR089 Explained Pro评估套件。

该套件便于用户访问WLR089U0模块和ATSAMR34J18B器件的各种功能,还提供额外的外设来扩展电路板功能、简化定制设计开发。

该套件由Atmel Studio集成开发平台提供支持,可提供预定义应用程序示例。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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