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磁珠滤波后的输出波纹小于10μVRMS连接简便和数据功能特点

发布时间:2023/3/12 22:03:11 访问次数:138

汽车微控制器(MCU)中端版本,该系列将功能安全技术、安全技术和车辆控制网络技术结合在一个芯片上,是实现车辆安全控制的关键。

具有32位RH850G3M锁步双核CPU、安全技术、代码闪存、数据闪存、RAM模块、DMA控制器、用于汽车应用的许多通信接口、A/D转换器、定时器单元等。

符合ISO 26262功能安全标准汽车应用。

843ES安全编码器和CompactBlock Guard Safety I/O通用编码器模块等智能产品,都是罗克韦尔自动化安全产品组合的一部分,兼具连接简便和数据功能强大的特点,可帮助用户打造更加智能,性能更高的生产模式。

制造商:    Infineon

产品种类:    MOSFET

RoHS:    详细信息

技术:    Si

安装风格:    SMD/SMT

封装 / 箱体:    TSDSON-8

晶体管极性:    P-Channel

通道数量:    1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:    30 V

Id-连续漏极电流:    40 A

Rds On-漏源导通电阻:    6.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:    - 25 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压:    3.1 V

Qg-栅极电荷:    57.5 nC

最小工作温度:    - 55 C

最大工作温度:    + 150 C

Pd-功率耗散:    69 W

通道模式:    Enhancement

封装:    Cut Tape

封装:    MouseReel

封装:    Reel

配置:   Single

高度:   1.1 mm

长度:   3.3 mm

系列:   BSZ086P03

晶体管类型:   1 P-Channel

宽度:   3.3 mm

商标:   Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:   30 S

下降时间:   8 ns

产品类型:   MOSFET

上升时间:   46 ns

工厂包装数量:   5000

子类别:   MOSFETs

典型关闭延迟时间:   35 ns

典型接通延迟时间:   16 ns

零件号别名:  BSZ086P03NS3 G SP000473024

单位重量:  38.760 mg

光幕上触发的光束,以每100毫秒对光屏进行一次采样,跟踪通过光屏产品轮廓,并发现潜在的质量问题。

通过使用Studio 5000 Logix Designer应用程序,还可实现与Allen-Bradley Compact GuardLogix SIL 3控制系统的源代码级集成。

1/f噪音小于20μVRMS (100 Hz到100 kHz),磁珠滤波后的输出波纹小于10μVRMS, PSRR大于65dB(高达100kHz).

输入电压范围3.0V到17V,输出电压从0.8V到5.5V,集成了57-mΩ/20-mΩ RDSon,输出电压精度±1%.器件具有精密使能,允许用户定义欠压锁住,准确的顺序,可调软起动,电源良好输出,工作结温-40C 到 150C,2.0-mm x 2.0-mm . 5mm间距的QFN封装.

主要用在通信基础设备,测试和测量,航空和国防以及医疗电子.


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

http://yushuokj.51dzw.com深圳市裕硕科技有限公司

汽车微控制器(MCU)中端版本,该系列将功能安全技术、安全技术和车辆控制网络技术结合在一个芯片上,是实现车辆安全控制的关键。

具有32位RH850G3M锁步双核CPU、安全技术、代码闪存、数据闪存、RAM模块、DMA控制器、用于汽车应用的许多通信接口、A/D转换器、定时器单元等。

符合ISO 26262功能安全标准汽车应用。

843ES安全编码器和CompactBlock Guard Safety I/O通用编码器模块等智能产品,都是罗克韦尔自动化安全产品组合的一部分,兼具连接简便和数据功能强大的特点,可帮助用户打造更加智能,性能更高的生产模式。

制造商:    Infineon

产品种类:    MOSFET

RoHS:    详细信息

技术:    Si

安装风格:    SMD/SMT

封装 / 箱体:    TSDSON-8

晶体管极性:    P-Channel

通道数量:    1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:    30 V

Id-连续漏极电流:    40 A

Rds On-漏源导通电阻:    6.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:    - 25 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压:    3.1 V

Qg-栅极电荷:    57.5 nC

最小工作温度:    - 55 C

最大工作温度:    + 150 C

Pd-功率耗散:    69 W

通道模式:    Enhancement

封装:    Cut Tape

封装:    MouseReel

封装:    Reel

配置:   Single

高度:   1.1 mm

长度:   3.3 mm

系列:   BSZ086P03

晶体管类型:   1 P-Channel

宽度:   3.3 mm

商标:   Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:   30 S

下降时间:   8 ns

产品类型:   MOSFET

上升时间:   46 ns

工厂包装数量:   5000

子类别:   MOSFETs

典型关闭延迟时间:   35 ns

典型接通延迟时间:   16 ns

零件号别名:  BSZ086P03NS3 G SP000473024

单位重量:  38.760 mg

光幕上触发的光束,以每100毫秒对光屏进行一次采样,跟踪通过光屏产品轮廓,并发现潜在的质量问题。

通过使用Studio 5000 Logix Designer应用程序,还可实现与Allen-Bradley Compact GuardLogix SIL 3控制系统的源代码级集成。

1/f噪音小于20μVRMS (100 Hz到100 kHz),磁珠滤波后的输出波纹小于10μVRMS, PSRR大于65dB(高达100kHz).

输入电压范围3.0V到17V,输出电压从0.8V到5.5V,集成了57-mΩ/20-mΩ RDSon,输出电压精度±1%.器件具有精密使能,允许用户定义欠压锁住,准确的顺序,可调软起动,电源良好输出,工作结温-40C 到 150C,2.0-mm x 2.0-mm . 5mm间距的QFN封装.

主要用在通信基础设备,测试和测量,航空和国防以及医疗电子.


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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