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30mA时提供4.7mW辐射通量单个芯片控制和逻辑功能

发布时间:2021/4/5 17:17:10 访问次数:661

LED可以直接集成到光源中,有助于确保高能短波UV-C不会照射到设备之外,防止人员受到UV-C伤害。两种版本均为3.6mm × 3.6mm的紧凑尺寸,提供275nm峰值波长和120度发射角。

OsramOslon UV 3636 LED的低功率和中功率版本,它们都采用了坚固耐用的陶瓷封装材料和石英玻璃盖板,并具备静电放电 (ESD) 保护功能。

低功率版本在30mA时可提供4.7mW辐射通量(典型值),中功率版本在350mA时可提供42mW辐射通量(典型值)。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 8.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V

Qg-栅极电荷: 15 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 36 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

长度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 5

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 3.3 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 16 S

下降时间: 2 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 2 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 10 ns

典型接通延迟时间: 6 ns

零件号别名: BSZ100N06NS SP001067006

单位重量: 156 mg

在单个芯片中集成多个器件使得设计、布局和组装更容易,节省PCB上的空间,提高效率,降低成本。这一系列产品将使ToF解决方案在更广泛的终端用户的应用场景中得到更快、更广泛的应用。

EPC21603与最近宣布的EPC21601一起,成为我们新的GaN IC系列产品,可显着提高性能,同时减小飞行时间激光雷达系统的尺寸和成本。

这个新的GaN集成电路系列产品将继续扩展到更高的电流、更高的电压,以及在单个芯片上进一步集成其他控制和逻辑功能。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

LED可以直接集成到光源中,有助于确保高能短波UV-C不会照射到设备之外,防止人员受到UV-C伤害。两种版本均为3.6mm × 3.6mm的紧凑尺寸,提供275nm峰值波长和120度发射角。

OsramOslon UV 3636 LED的低功率和中功率版本,它们都采用了坚固耐用的陶瓷封装材料和石英玻璃盖板,并具备静电放电 (ESD) 保护功能。

低功率版本在30mA时可提供4.7mW辐射通量(典型值),中功率版本在350mA时可提供42mW辐射通量(典型值)。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 8.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V

Qg-栅极电荷: 15 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 36 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

长度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 5

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 3.3 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 16 S

下降时间: 2 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 2 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 10 ns

典型接通延迟时间: 6 ns

零件号别名: BSZ100N06NS SP001067006

单位重量: 156 mg

在单个芯片中集成多个器件使得设计、布局和组装更容易,节省PCB上的空间,提高效率,降低成本。这一系列产品将使ToF解决方案在更广泛的终端用户的应用场景中得到更快、更广泛的应用。

EPC21603与最近宣布的EPC21601一起,成为我们新的GaN IC系列产品,可显着提高性能,同时减小飞行时间激光雷达系统的尺寸和成本。

这个新的GaN集成电路系列产品将继续扩展到更高的电流、更高的电压,以及在单个芯片上进一步集成其他控制和逻辑功能。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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