LoRaWAN或Sigfox等远距离物联网现已覆盖全球，那些创新实用的智能设备（比如环境监控和资产跟踪等应用领域）可随时接入物联网。

双核产品增强处理性能、网络安全性和应用灵活性.

在大众市场上推出我们独有的单片集成微控制器和多调制射频的系统芯片，将会让开发者开发出更多令人兴奋的新产品，同时更好地发挥这些网络的优势，带来无与伦比的功能、用途和价值。

新产品面向大众市场，可扩大功能和封装选择，兼容更多通信协议（例如Sigfox）.

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 20 A

Rds On-漏源导通电阻: 7.7 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V

Qg-栅极电荷: 45 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 50 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

长度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 3

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 3.3 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 20 S

下降时间: 8 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 58 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 19 ns

典型接通延迟时间: 8 ns

零件号别名: SP000453672 BSZ1N6LS3GXT BSZ100N06LS3GATMA1

单位重量: 100 mg

以USB C型端口的数据线提供在线保护.因此,许多设计工程师正在寻找简单而有效的解决方案.

DPO2039DABQ是Diodes Incorporated的离散数据线保护系列的一部分，与USB C型端口的CC1，CC2和D +和D-或SBU信号配合使用，以保护设备免受静电放电（ESD）的影响，四个数据线中的任何一条上存在过高的电压或VBUS短路，或发生过热事件。

DPO2039DABQ具有低插入损耗，导通电阻通常为300mΩ，等效电容为50pF或更小的特性，这意味着它对数据线的带宽没有负面影响。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）