GaN功率晶体管的整体复合年均增长率将达到66.5%
发布时间:2021/4/2 23:20:59 访问次数:579
GEM结合了两个关键元素：人工智能（AI）和CYNORA化学家的智慧。
虽然人工智能提供了巨大的计算能力，但也可能存在预测误差和其他不确定性，从而减少专业应用中的有效产出。
GEM通过将其计算能力与CYNORA化学家的材料专业知识以及OLED器件知识相结合来识别具有高潜力的分子，从而为人工智能在OLED材料发现方面提供了强大的动力。
一个评分系统可以预测分子与必备参数的符合程度，以及它对目标用途（即高效发光材料）的实用性。
制造商:Diodes Incorporated 产品种类:低压差稳压器 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-223-3 输出电压:2.5 V 输出电流:1 A 输出端数量:1 Output 静态电流:60 uA 最大输入电压:6 V 最小输入电压:2.5 V 输出类型:Fixed 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 回动电压:450 mV 系列: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 产品:LDO Voltage Regulators 类型:Low Noise CMOS LDO Regulator With Enable 商标:Diodes Incorporated 回动电压—最大值:750 mV PSRR/纹波抑制—典型值:65 dB 电压调节准确度:1.5 % 线路调整率:0.02 %/V 负载调节:0.2 %/A 湿度敏感性:Yes 产品类型:LDO Voltage Regulators 4000 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:112 mg
与硅(Si)相比，氮化镓功率转换器在电源应用中拥有根本性的优势。
Transphorm的GaN FET可以将交流转直流PFC级的效率提升到99%以上，从而在降低整体系统成本的同时，提高功率密度（外形尺寸相同，功率更大）——除此之外，已公布的现场可靠性小于1.0 FIT（失效率）。
GaN功率晶体管的应用有望迅速增加。Omdia近日预测，事实上，从2019年到2024年，应用于数据中心电源的GaN功率晶体管的整体复合年均增长率将达到66.5%。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
GEM结合了两个关键元素：人工智能（AI）和CYNORA化学家的智慧。
虽然人工智能提供了巨大的计算能力，但也可能存在预测误差和其他不确定性，从而减少专业应用中的有效产出。
GEM通过将其计算能力与CYNORA化学家的材料专业知识以及OLED器件知识相结合来识别具有高潜力的分子，从而为人工智能在OLED材料发现方面提供了强大的动力。
一个评分系统可以预测分子与必备参数的符合程度，以及它对目标用途（即高效发光材料）的实用性。
制造商:Diodes Incorporated 产品种类:低压差稳压器 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-223-3 输出电压:2.5 V 输出电流:1 A 输出端数量:1 Output 静态电流:60 uA 最大输入电压:6 V 最小输入电压:2.5 V 输出类型:Fixed 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 回动电压:450 mV 系列: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 产品:LDO Voltage Regulators 类型:Low Noise CMOS LDO Regulator With Enable 商标:Diodes Incorporated 回动电压—最大值:750 mV PSRR/纹波抑制—典型值:65 dB 电压调节准确度:1.5 % 线路调整率:0.02 %/V 负载调节:0.2 %/A 湿度敏感性:Yes 产品类型:LDO Voltage Regulators 4000 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:112 mg
与硅(Si)相比，氮化镓功率转换器在电源应用中拥有根本性的优势。
Transphorm的GaN FET可以将交流转直流PFC级的效率提升到99%以上，从而在降低整体系统成本的同时，提高功率密度（外形尺寸相同，功率更大）——除此之外，已公布的现场可靠性小于1.0 FIT（失效率）。
GaN功率晶体管的应用有望迅速增加。Omdia近日预测，事实上，从2019年到2024年，应用于数据中心电源的GaN功率晶体管的整体复合年均增长率将达到66.5%。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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