磁簧开关的局限性以及解决这些问题的TMR传感器IC的优势

具有更强的抗振动和抗冲击能力需要更多焊接工作可与其他组件一起焊接，因此所需的工艺更少所使用的磁体不能缩小到特定尺寸以下尺寸只有常规磁簧开关的十分之一左右只要传感器处于开启状态.

电流就会流过，从而使电池寿命变得不可靠纳米级电流消耗，可显著延长电池寿命ABLIC为用于检测水平磁场的“小巧、智能、简单”的产品系列增加了一种新的“S-5701 B系列”TMR传感器IC产品，可以提供给寻求磁簧开关替代品的客户，以进一步扩大我们的客户群。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PG-TSDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 150 V

Id-连续漏极电流: 21 A

Rds On-漏源导通电阻: 52 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 8.7 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 57 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

长度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 3

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 3.3 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 11 S

下降时间: 3 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 5 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 10 ns

典型接通延迟时间: 7 ns

零件号别名: BSZ520N15NS3 G SP000607022

单位重量: 200 mg

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制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PG-TSDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 150 V

Id-连续漏极电流: 21 A

Rds On-漏源导通电阻: 52 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 8.7 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 57 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

长度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 3

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 3.3 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 11 S

下降时间: 3 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 5 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 10 ns

典型接通延迟时间: 7 ns

零件号别名: BSZ520N15NS3 G SP000607022

单位重量: 200 mg

使用两个常开（SPST/A型）高压继电器，确保其中任何一个开关在闭合前另一个开关总是先断开。

相比于用一个继电器的方案，用两个继电器就需要两倍的PCB空间，而且容易造成复杂的驱动问题。另外，如果其中任何一个SPST继电器触点粘连了，就会有信号短路的意外风险。

Pickering的新款67-1-C高电压舌簧继电器能够在单独一个紧凑的元器件内确保实现先断后合 (Break-Before-Make)的操作。

67系列新款转换继电器在最高100W的功率下额定截止电压最高5kV，开关电压最高2.5kV。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）