0至+12V栅极电压驱动动态随机存取存储器的SiC MOSFET
发布时间:2021/3/22 22:54:21 访问次数:214
由于与±20V、5V Vth的栅极驱动器广泛兼容,所有的器件都可以用0至+12V栅极电压驱动。因此,就可以将它们与现有的SiC MOSFET、Si IGBT和Si MOSFET栅极驱动器一起使用。
从DC-DC转换和车载充电到功率因数校正和太阳能逆变器,这些器件可帮助各行各业的工程师们解决他们在满足最高电压和功率要求时所面临的各种挑战。
增强型技术使其成为市场上波长为905 nm的质量和效率最高的塑料封装脉冲激光二极管,为工业和消费类测距应用中的飞行时间测量的设计工程师们提供了强大且经济高效的解决方案。
制造商: Alliance Memory
产品种类: 动态随机存取存储器
类型: SDRAM - DDR3L
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: FBGA-96
数据总线宽度: 16 bit
组织: 256 M x 16
存储容量: 4 Gbit
最大时钟频率: 800 MHz
电源电压-最大: 1.45 V
电源电压-最小: 1.283 V
电源电流—最大值: 81 mA
最小工作温度: 0 C
最大工作温度: + 95 C
封装: Reel
商标: Alliance Memory
产品类型: DRAM
工厂包装数量: 2500
子类别: Memory & Data Storage

随着显示技术的不断发展,智慧眼镜有可能在未来取代智慧手机成为智慧设备。
一旦我们能够改善笨拙和不舒适的设计,减小尺寸并提供与当前智能手机相同的信息量,智慧眼镜将在未来几年真正实现飞跃。
尽管我们目前还无法实现这一目标,但我们希望超小型激光模块将成为克服现有挑战的关键组件。
在视觉辅助产品中的应用,目前正在考虑将TDK的激光模块用于智能眼镜中,该眼镜通过将图像直接投射到视网膜上来辅助视觉。

由于与±20V、5V Vth的栅极驱动器广泛兼容,所有的器件都可以用0至+12V栅极电压驱动。因此,就可以将它们与现有的SiC MOSFET、Si IGBT和Si MOSFET栅极驱动器一起使用。
从DC-DC转换和车载充电到功率因数校正和太阳能逆变器,这些器件可帮助各行各业的工程师们解决他们在满足最高电压和功率要求时所面临的各种挑战。
增强型技术使其成为市场上波长为905 nm的质量和效率最高的塑料封装脉冲激光二极管,为工业和消费类测距应用中的飞行时间测量的设计工程师们提供了强大且经济高效的解决方案。
制造商: Alliance Memory
产品种类: 动态随机存取存储器
类型: SDRAM - DDR3L
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: FBGA-96
数据总线宽度: 16 bit
组织: 256 M x 16
存储容量: 4 Gbit
最大时钟频率: 800 MHz
电源电压-最大: 1.45 V
电源电压-最小: 1.283 V
电源电流—最大值: 81 mA
最小工作温度: 0 C
最大工作温度: + 95 C
封装: Reel
商标: Alliance Memory
产品类型: DRAM
工厂包装数量: 2500
子类别: Memory & Data Storage

随着显示技术的不断发展,智慧眼镜有可能在未来取代智慧手机成为智慧设备。
一旦我们能够改善笨拙和不舒适的设计,减小尺寸并提供与当前智能手机相同的信息量,智慧眼镜将在未来几年真正实现飞跃。
尽管我们目前还无法实现这一目标,但我们希望超小型激光模块将成为克服现有挑战的关键组件。
在视觉辅助产品中的应用,目前正在考虑将TDK的激光模块用于智能眼镜中,该眼镜通过将图像直接投射到视网膜上来辅助视觉。
