过高的电压或VBUS短路和多调制射频的系统芯片
发布时间:2021/3/19 22:20:14 访问次数:266
在大众市场上推出我们独有的单片集成微控制器和多调制射频的系统芯片,将会让开发者开发出更多令人兴奋的新产品,同时更好地发挥这些网络的优势,带来无与伦比的功能、用途和价值。
STM32WL系列整合意法半导体的STM32超低功耗微控制器(MCU)架构与支持多种调制方案的Sub-GHz射频子系统,支持的调制协议包括射频信号功率小但接收灵敏度高的LoRa技术,以及Sigfox、无线仪表总线(wM-Bus)等协议和其他专有协议及Sub-GHz标准所用的(G)FSK、(G)MSK和BPSK调制技术。
片上射频子系统有两路可选功率输出,帮助客户遵守全球各地对免执照频段无线电的功率限制。
特性
高纹波抑制比:f=1kHz时,R.R.=100dB(典型值)
低输出噪声电压:10Hz≤f≤100kHz时,VNO=5μVrms(典型值)
高输出电压精度:
1.8V≤VOUT≤2.8V,Tj=-40℃至85℃时,VOUT最小值/最大值=-1.5%/1.5%
VOUT>2.8V,Tj=-40℃至85℃时,VOUT最小值/最大值=-1.8%/1.8%
轻薄紧凑型WCSP4F封装:0.645mm×0.645mm(典型值),厚度=0.33mm(最大值)
DPO2039DABQ是Diodes Incorporated的离散数据线保护系列的一部分,与USB C型端口的CC1,CC2和D +和D-或SBU信号配合使用,以保护设备免受静电放电(ESD)的影响,四个数据线中的任何一条上存在过高的电压或VBUS短路,或发生过热事件。
DPO2039DABQ具有低插入损耗,导通电阻通常为300mΩ,等效电容为50pF或更小的特性,这意味着它对数据线的带宽没有负面影响。
DPO2039DABQ的高级ESD保护还消除了对外部瞬态电压抑制器的需求。
(素材来源:eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
在大众市场上推出我们独有的单片集成微控制器和多调制射频的系统芯片,将会让开发者开发出更多令人兴奋的新产品,同时更好地发挥这些网络的优势,带来无与伦比的功能、用途和价值。
STM32WL系列整合意法半导体的STM32超低功耗微控制器(MCU)架构与支持多种调制方案的Sub-GHz射频子系统,支持的调制协议包括射频信号功率小但接收灵敏度高的LoRa技术,以及Sigfox、无线仪表总线(wM-Bus)等协议和其他专有协议及Sub-GHz标准所用的(G)FSK、(G)MSK和BPSK调制技术。
片上射频子系统有两路可选功率输出,帮助客户遵守全球各地对免执照频段无线电的功率限制。
特性
高纹波抑制比:f=1kHz时,R.R.=100dB(典型值)
低输出噪声电压:10Hz≤f≤100kHz时,VNO=5μVrms(典型值)
高输出电压精度:
1.8V≤VOUT≤2.8V,Tj=-40℃至85℃时,VOUT最小值/最大值=-1.5%/1.5%
VOUT>2.8V,Tj=-40℃至85℃时,VOUT最小值/最大值=-1.8%/1.8%
轻薄紧凑型WCSP4F封装:0.645mm×0.645mm(典型值),厚度=0.33mm(最大值)
DPO2039DABQ是Diodes Incorporated的离散数据线保护系列的一部分,与USB C型端口的CC1,CC2和D +和D-或SBU信号配合使用,以保护设备免受静电放电(ESD)的影响,四个数据线中的任何一条上存在过高的电压或VBUS短路,或发生过热事件。
DPO2039DABQ具有低插入损耗,导通电阻通常为300mΩ,等效电容为50pF或更小的特性,这意味着它对数据线的带宽没有负面影响。
DPO2039DABQ的高级ESD保护还消除了对外部瞬态电压抑制器的需求。
(素材来源:eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)