SAR和Delta-Sigma转换器达到成本效率的集成度和低功耗
发布时间:2021/3/18 23:38:02 访问次数:408
1G位的器件比用0.18微米工艺所生产的512M位的要小。
闪存的排列可通过热电子注入的方法进行编程,以得到高的写入速度。从源区注入热电子能改善浮置栅注入效率,进行低电流快速并行写入。
日立公司计划采用多层单元技术来开发1G位闪存和其它器件的闪存控制器。
SFI-4接口以及VSR4-03.0光标准兼容,该器件用0.18微米CMOS工艺,以达到成本效率的集成度和低功耗。
制造商:Vishay 产品种类:整流器 RoHS: 详细信息 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC-2 Vr - 反向电压 :1 kV If - 正向电流:1 A 类型:Fast Recovery Rectifiers 配置:Single Vf - 正向电压:1.7 V 最大浪涌电流:30 A Ir - 反向电流 :10 uA 恢复时间:75 ns 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C 系列:US1x 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:2.09 mm 长度:4.5 mm 产品:Rectifiers 端接类型:SMD/SMT 宽度:2.79 mm 商标:Vishay General Semiconductor Pd-功率耗散:- 产品类型:Rectifiers 工厂包装数量:1800 子类别:Diodes & Rectifiers 零件号别名:US1M-E3/5AT 单位重量:110 mg
产品具有18位无丢失码性能,超越了SAR转换器的行业标准。S8381可以用较低的成本在很多应用中实现更好的性能。
这些应用包括高端仪器和医疗设备,如色层分析仪、先进的IC测试仪、光能量监测和具有宽动态范围的数据采集系统。
在动态范围和线性品质方面,以前的SAR和Delta-Sigma转换器已经能够满足数据采集系统和医疗设备的要求,通过采用混合方案也可以达到更高的速度。

1G位的器件比用0.18微米工艺所生产的512M位的要小。
闪存的排列可通过热电子注入的方法进行编程,以得到高的写入速度。从源区注入热电子能改善浮置栅注入效率,进行低电流快速并行写入。
日立公司计划采用多层单元技术来开发1G位闪存和其它器件的闪存控制器。
SFI-4接口以及VSR4-03.0光标准兼容,该器件用0.18微米CMOS工艺,以达到成本效率的集成度和低功耗。
制造商:Vishay 产品种类:整流器 RoHS: 详细信息 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC-2 Vr - 反向电压 :1 kV If - 正向电流:1 A 类型:Fast Recovery Rectifiers 配置:Single Vf - 正向电压:1.7 V 最大浪涌电流:30 A Ir - 反向电流 :10 uA 恢复时间:75 ns 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C 系列:US1x 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:2.09 mm 长度:4.5 mm 产品:Rectifiers 端接类型:SMD/SMT 宽度:2.79 mm 商标:Vishay General Semiconductor Pd-功率耗散:- 产品类型:Rectifiers 工厂包装数量:1800 子类别:Diodes & Rectifiers 零件号别名:US1M-E3/5AT 单位重量:110 mg
产品具有18位无丢失码性能,超越了SAR转换器的行业标准。S8381可以用较低的成本在很多应用中实现更好的性能。
这些应用包括高端仪器和医疗设备,如色层分析仪、先进的IC测试仪、光能量监测和具有宽动态范围的数据采集系统。
在动态范围和线性品质方面,以前的SAR和Delta-Sigma转换器已经能够满足数据采集系统和医疗设备的要求,通过采用混合方案也可以达到更高的速度。
