低功耗和高速3.3V应用理想选择连接到5V信号环境用于输入
发布时间:2023/3/23 8:43:49 访问次数:54
InnoBTS™ SSD采用非对称性密码学的公开数据加密技术,可产生专属的私钥(private key),并透过私钥和公钥的发送配对,启动数字签名机制作为资料认证。
一方面将重要的私钥存于固态硬盘内部安全区块加以保护,另一方面可发送公钥并仅供读取,同时利用区块链的去中心化架构,将数据分散记录保存,如果有遭资料篡改的情况,便可清楚地显示出其中差异,进一步确保资料正确性。
福建芯鸿科技有限公司http://xhkjgs.51dzw.com
制造商: Texas Instruments
产品种类: 差分放大器
RoHS: 详细信息
系列: THS4520
GBP-增益带宽产品: 1.2 GHz
SR - 转换速率 : 570 V/us
CMRR - 共模抑制比: 84 dB
每个通道的输出电流: 105 mA
Ib - 输入偏流: 10 uA
Vos - 输入偏置电压 : 2.5 mV
电源电压-最大: 5.25 V
电源电压-最小: 3 V
工作电源电流: 14.2 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VQFN-16
封装: Reel
特点: Shutdown
高度: 0.9 mm
长度: 3 mm
输出类型: Rail-to-Rail
产品: Differential Amplifiers
电源类型: Single
宽度: 3 mm
商标: Texas Instruments
开发套件: THS4520EVM
增益V/V: 1 V/V
湿度敏感性: Yes
工作电源电压: 5.25 V
产品类型: Differential Amplifiers
PSRR - 电源抑制比: 94 dB
工厂包装数量: 3000
子类别: Amplifier ICs
电压增益 dB: 112 dB
单位重量: 24.100 mg

凭借这些优异的性能和其他特性,与其他同类设备相比,Primo Twin-Star® 以更小的占地面积、更低的生产成本和更高的输出效率,进行ICP适用的逻辑和存储芯片的介质和导体的各种刻蚀应用,并用于功率器件和CMOS图像传感器(CIS)的刻蚀应用。
由于Primo Twin-Star®反应器在很多方面采取了和单台机Primo nanova®相同或相似的设计,在众多的刻蚀应用中,Primo Twin-Star®显示了和单台反.
低压CMOS开漏六角缓冲器,采用亚微米硅栅极和双层金属布线C 2 MOS技术制造。
是低功耗和高速3.3V应用的理想选择,并且可以连接到5V信号环境用于输入。
内部电路由2级组成,包括一个缓冲输出,可提供高抗噪性和稳定的输出。
在3.3V时具有与5V AC/ACT系列相同的速度性能,并且功耗更低。
所有输入和输出都配备了防止静电放电的保护电路,具有2kV ESD抗扰度和瞬态过电压。
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
InnoBTS™ SSD采用非对称性密码学的公开数据加密技术,可产生专属的私钥(private key),并透过私钥和公钥的发送配对,启动数字签名机制作为资料认证。
一方面将重要的私钥存于固态硬盘内部安全区块加以保护,另一方面可发送公钥并仅供读取,同时利用区块链的去中心化架构,将数据分散记录保存,如果有遭资料篡改的情况,便可清楚地显示出其中差异,进一步确保资料正确性。
福建芯鸿科技有限公司http://xhkjgs.51dzw.com
制造商: Texas Instruments
产品种类: 差分放大器
RoHS: 详细信息
系列: THS4520
GBP-增益带宽产品: 1.2 GHz
SR - 转换速率 : 570 V/us
CMRR - 共模抑制比: 84 dB
每个通道的输出电流: 105 mA
Ib - 输入偏流: 10 uA
Vos - 输入偏置电压 : 2.5 mV
电源电压-最大: 5.25 V
电源电压-最小: 3 V
工作电源电流: 14.2 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VQFN-16
封装: Reel
特点: Shutdown
高度: 0.9 mm
长度: 3 mm
输出类型: Rail-to-Rail
产品: Differential Amplifiers
电源类型: Single
宽度: 3 mm
商标: Texas Instruments
开发套件: THS4520EVM
增益V/V: 1 V/V
湿度敏感性: Yes
工作电源电压: 5.25 V
产品类型: Differential Amplifiers
PSRR - 电源抑制比: 94 dB
工厂包装数量: 3000
子类别: Amplifier ICs
电压增益 dB: 112 dB
单位重量: 24.100 mg

凭借这些优异的性能和其他特性,与其他同类设备相比,Primo Twin-Star® 以更小的占地面积、更低的生产成本和更高的输出效率,进行ICP适用的逻辑和存储芯片的介质和导体的各种刻蚀应用,并用于功率器件和CMOS图像传感器(CIS)的刻蚀应用。
由于Primo Twin-Star®反应器在很多方面采取了和单台机Primo nanova®相同或相似的设计,在众多的刻蚀应用中,Primo Twin-Star®显示了和单台反.
低压CMOS开漏六角缓冲器,采用亚微米硅栅极和双层金属布线C 2 MOS技术制造。
是低功耗和高速3.3V应用的理想选择,并且可以连接到5V信号环境用于输入。
内部电路由2级组成,包括一个缓冲输出,可提供高抗噪性和稳定的输出。
在3.3V时具有与5V AC/ACT系列相同的速度性能,并且功耗更低。
所有输入和输出都配备了防止静电放电的保护电路,具有2kV ESD抗扰度和瞬态过电压。
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)