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低功耗和高速3.3V应用理想选择连接到5V信号环境用于输入

发布时间:2023/3/23 8:43:49 访问次数:54

InnoBTS™ SSD采用非对称性密码学的公开数据加密技术,可产生专属的私钥(private key),并透过私钥和公钥的发送配对,启动数字签名机制作为资料认证。

一方面将重要的私钥存于固态硬盘内部安全区块加以保护,另一方面可发送公钥并仅供读取,同时利用区块链的去中心化架构,将数据分散记录保存,如果有遭资料篡改的情况,便可清楚地显示出其中差异,进一步确保资料正确性。

福建芯鸿科技有限公司http://xhkjgs.51dzw.com

制造商: Texas Instruments

产品种类: 差分放大器

RoHS: 详细信息

系列: THS4520

GBP-增益带宽产品: 1.2 GHz

SR - 转换速率 : 570 V/us

CMRR - 共模抑制比: 84 dB

每个通道的输出电流: 105 mA

Ib - 输入偏流: 10 uA

Vos - 输入偏置电压 : 2.5 mV

电源电压-最大: 5.25 V

电源电压-最小: 3 V

工作电源电流: 14.2 mA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: VQFN-16

封装: Reel

特点: Shutdown

高度: 0.9 mm

长度: 3 mm

输出类型: Rail-to-Rail

产品: Differential Amplifiers

电源类型: Single

宽度: 3 mm

商标: Texas Instruments

开发套件: THS4520EVM

增益V/V: 1 V/V

湿度敏感性: Yes

工作电源电压: 5.25 V

产品类型: Differential Amplifiers

PSRR - 电源抑制比: 94 dB

工厂包装数量: 3000

子类别: Amplifier ICs

电压增益 dB: 112 dB

单位重量: 24.100 mg


凭借这些优异的性能和其他特性,与其他同类设备相比,Primo Twin-Star® 以更小的占地面积、更低的生产成本和更高的输出效率,进行ICP适用的逻辑和存储芯片的介质和导体的各种刻蚀应用,并用于功率器件和CMOS图像传感器(CIS)的刻蚀应用。

由于Primo Twin-Star®反应器在很多方面采取了和单台机Primo nanova®相同或相似的设计,在众多的刻蚀应用中,Primo Twin-Star®显示了和单台反.


低压CMOS开漏六角缓冲器,采用亚微米硅栅极和双层金属布线C 2 MOS技术制造。

是低功耗和高速3.3V应用的理想选择,并且可以连接到5V信号环境用于输入。

内部电路由2级组成,包括一个缓冲输出,可提供高抗噪性和稳定的输出。

在3.3V时具有与5V AC/ACT系列相同的速度性能,并且功耗更低。

所有输入和输出都配备了防止静电放电的保护电路,具有2kV ESD抗扰度和瞬态过电压。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)


InnoBTS™ SSD采用非对称性密码学的公开数据加密技术,可产生专属的私钥(private key),并透过私钥和公钥的发送配对,启动数字签名机制作为资料认证。

一方面将重要的私钥存于固态硬盘内部安全区块加以保护,另一方面可发送公钥并仅供读取,同时利用区块链的去中心化架构,将数据分散记录保存,如果有遭资料篡改的情况,便可清楚地显示出其中差异,进一步确保资料正确性。

福建芯鸿科技有限公司http://xhkjgs.51dzw.com

制造商: Texas Instruments

产品种类: 差分放大器

RoHS: 详细信息

系列: THS4520

GBP-增益带宽产品: 1.2 GHz

SR - 转换速率 : 570 V/us

CMRR - 共模抑制比: 84 dB

每个通道的输出电流: 105 mA

Ib - 输入偏流: 10 uA

Vos - 输入偏置电压 : 2.5 mV

电源电压-最大: 5.25 V

电源电压-最小: 3 V

工作电源电流: 14.2 mA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: VQFN-16

封装: Reel

特点: Shutdown

高度: 0.9 mm

长度: 3 mm

输出类型: Rail-to-Rail

产品: Differential Amplifiers

电源类型: Single

宽度: 3 mm

商标: Texas Instruments

开发套件: THS4520EVM

增益V/V: 1 V/V

湿度敏感性: Yes

工作电源电压: 5.25 V

产品类型: Differential Amplifiers

PSRR - 电源抑制比: 94 dB

工厂包装数量: 3000

子类别: Amplifier ICs

电压增益 dB: 112 dB

单位重量: 24.100 mg


凭借这些优异的性能和其他特性,与其他同类设备相比,Primo Twin-Star® 以更小的占地面积、更低的生产成本和更高的输出效率,进行ICP适用的逻辑和存储芯片的介质和导体的各种刻蚀应用,并用于功率器件和CMOS图像传感器(CIS)的刻蚀应用。

由于Primo Twin-Star®反应器在很多方面采取了和单台机Primo nanova®相同或相似的设计,在众多的刻蚀应用中,Primo Twin-Star®显示了和单台反.


低压CMOS开漏六角缓冲器,采用亚微米硅栅极和双层金属布线C 2 MOS技术制造。

是低功耗和高速3.3V应用的理想选择,并且可以连接到5V信号环境用于输入。

内部电路由2级组成,包括一个缓冲输出,可提供高抗噪性和稳定的输出。

在3.3V时具有与5V AC/ACT系列相同的速度性能,并且功耗更低。

所有输入和输出都配备了防止静电放电的保护电路,具有2kV ESD抗扰度和瞬态过电压。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)


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