高性能片上参考缓冲器单台反应器相同的刻蚀结果
发布时间:2021/3/16 21:08:29 访问次数:127
转换器还带有一个高性能片上参考缓冲器。由于ADS8381增加新功能并减小了对外部元件的需要，从而在达到更高性能的同时也降低了系统的复杂性、电路板面积和整个系统的成本。
该器件提供一个全18位接口、一个16位选项接口(数据使用两个读周期读出)和8位总线接口(使用3个读周期)。
ADS8381使用一个单独+5V电源，在工业温度范围(-40度到+85度)内工作。
产品分类MOSFETs
晶体管
FET配置（电路类型）N沟道 漏极电流（Id, 连续）10.5A（Ta） 阈值电压Vgs(th)2.4V@250μA 封装/外壳8-SMD，扁平引线
新放大器具有广泛的负载范围，即使大功率驱动四路2Ω低阻抗负载，也能确保性能稳定。
SAME-BANK Refresh刷新模式,Longsys DDR5根据标准还实现了一个新特性，称为SAME-BANK Refresh（同步刷新）。
此命令允许刷新每个BG中的一个Bank，使所有其他Banks保持打开状态以继续正常操作。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
转换器还带有一个高性能片上参考缓冲器。由于ADS8381增加新功能并减小了对外部元件的需要，从而在达到更高性能的同时也降低了系统的复杂性、电路板面积和整个系统的成本。
该器件提供一个全18位接口、一个16位选项接口(数据使用两个读周期读出)和8位总线接口(使用3个读周期)。
ADS8381使用一个单独+5V电源，在工业温度范围(-40度到+85度)内工作。
产品分类MOSFETs
晶体管
FET配置（电路类型）N沟道 漏极电流（Id, 连续）10.5A（Ta） 阈值电压Vgs(th)2.4V@250μA 封装/外壳8-SMD，扁平引线
新放大器具有广泛的负载范围，即使大功率驱动四路2Ω低阻抗负载，也能确保性能稳定。
SAME-BANK Refresh刷新模式,Longsys DDR5根据标准还实现了一个新特性，称为SAME-BANK Refresh（同步刷新）。
此命令允许刷新每个BG中的一个Bank，使所有其他Banks保持打开状态以继续正常操作。
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