电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备Primo Twin-Star®
发布时间:2021/3/16 19:44:05 访问次数:973
在优化DDR5 DRAM内核运算能力上，Longsys DDR5增加内置纠错码（ECC），全面实现数据纠错能力，进一步提高数据完整性，同时也缓解了系统错误校正负担并充分利用DRAM读写的高效机制。
增加16n的预取模式,BL16使得Longsys DDR5内存的并发性在DDR4的基础上提升了一倍，信号能够更完整高效地传递。
DDR5 DIMM新架构采用了两个完全独立的32位通道，提高了并发性，并使系统中可用的内存通道增加了一倍。
制造商:Diodes Incorporated 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:20 V Id-连续漏极电流:4.2 A Rds On-漏源导通电阻:25 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 V Vgs th-栅源极阈值电压:500 mV Qg-栅极电荷:9.6 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:780 mW 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 产品:MOSFET Small Signal 系列:DMG3414 晶体管类型:1 N-Channel 商标:Diodes Incorporated 下降时间:9.6 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:8.3 ns 工厂包装数量:3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:40.1 ns 典型接通延迟时间:8.1 ns 单位重量:8 mg
新一代电感耦合等离子体（ICP）刻蚀设备Primo Twin-Star®，用于IC器件前道和后道制程导电/电介质膜的刻蚀应用。
中微公司双反应台电感耦合等离子体刻蚀设备Primo Twin-Star®
基于中微公司业已成熟的单台反应器的电感耦合等离子体（ICP）刻蚀技术和双台反应器的Primo平台，Primo Twin-Star®为电介质前道/后道制程、多晶硅刻蚀、DTI和BSI刻蚀等提供了高性价比的刻蚀解决方案。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
在优化DDR5 DRAM内核运算能力上，Longsys DDR5增加内置纠错码（ECC），全面实现数据纠错能力，进一步提高数据完整性，同时也缓解了系统错误校正负担并充分利用DRAM读写的高效机制。
增加16n的预取模式,BL16使得Longsys DDR5内存的并发性在DDR4的基础上提升了一倍，信号能够更完整高效地传递。
DDR5 DIMM新架构采用了两个完全独立的32位通道，提高了并发性，并使系统中可用的内存通道增加了一倍。
制造商:Diodes Incorporated 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:20 V Id-连续漏极电流:4.2 A Rds On-漏源导通电阻:25 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 V Vgs th-栅源极阈值电压:500 mV Qg-栅极电荷:9.6 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:780 mW 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 产品:MOSFET Small Signal 系列:DMG3414 晶体管类型:1 N-Channel 商标:Diodes Incorporated 下降时间:9.6 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:8.3 ns 工厂包装数量:3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:40.1 ns 典型接通延迟时间:8.1 ns 单位重量:8 mg
新一代电感耦合等离子体（ICP）刻蚀设备Primo Twin-Star®，用于IC器件前道和后道制程导电/电介质膜的刻蚀应用。
中微公司双反应台电感耦合等离子体刻蚀设备Primo Twin-Star®
基于中微公司业已成熟的单台反应器的电感耦合等离子体（ICP）刻蚀技术和双台反应器的Primo平台，Primo Twin-Star®为电介质前道/后道制程、多晶硅刻蚀、DTI和BSI刻蚀等提供了高性价比的刻蚀解决方案。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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