单台设备将功率提高到两位数千瓦从16GB到1.6TB存储容量
发布时间:2023/4/8 22:51:03 访问次数:120
对Transphorm业界领先的GaN器件进行评估，并合力为EV系统产品多年路线图提供支持。
不断革新Transphorm的SuperGaN FET技术，现在能够以市面上标准的TO-247-3封装提供世界上最低的导通电阻，同时瞄准电动汽车及其他更高功率转换应用。
这使客户能够通过单台设备将功率提高到两位数千瓦，从而继续证明GaN具有提供更高性能、更低系统成本和更高功率密度的能力。
我们的Gen V GaN平台为以前需要并联的功率电平创造了新的设计机会，同时仍能提供超过99%的效率。
最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SO-14 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 功能:Buffer/Line Driver 高度:1.45 mm 长度:8.75 mm 输出类型:3-State 技术:CMOS 宽度:4 mm 商标:Nexperia 逻辑系列:HCT 逻辑类型:Buffer/Line Driver 通道数量:4 电源电流—最大值:8 uA
新一代闪存产品，该产品拥有5个系列，并针对工业、医疗、智能电网、交通和安全等应用进行了优化。5个系列全部采用了支持串行ATA的TDK自有NAND闪存控制IC“GBDriver GS2”。
SSD使用了支持串行ATA的TDK自有控制器GBDriver GS2
配置了3D NAND（TLC或pSLC）闪存
新一代产品包括5个系列共计6个尺寸
产品系列还提供了从16GB到1.6TB的各种存储容量。
福建芯鸿科技有限公司http://xhkjgs.51dzw.com
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
对Transphorm业界领先的GaN器件进行评估，并合力为EV系统产品多年路线图提供支持。
不断革新Transphorm的SuperGaN FET技术，现在能够以市面上标准的TO-247-3封装提供世界上最低的导通电阻，同时瞄准电动汽车及其他更高功率转换应用。
这使客户能够通过单台设备将功率提高到两位数千瓦，从而继续证明GaN具有提供更高性能、更低系统成本和更高功率密度的能力。
我们的Gen V GaN平台为以前需要并联的功率电平创造了新的设计机会，同时仍能提供超过99%的效率。
最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SO-14 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 功能:Buffer/Line Driver 高度:1.45 mm 长度:8.75 mm 输出类型:3-State 技术:CMOS 宽度:4 mm 商标:Nexperia 逻辑系列:HCT 逻辑类型:Buffer/Line Driver 通道数量:4 电源电流—最大值:8 uA
新一代闪存产品，该产品拥有5个系列，并针对工业、医疗、智能电网、交通和安全等应用进行了优化。5个系列全部采用了支持串行ATA的TDK自有NAND闪存控制IC“GBDriver GS2”。
SSD使用了支持串行ATA的TDK自有控制器GBDriver GS2
配置了3D NAND（TLC或pSLC）闪存
新一代产品包括5个系列共计6个尺寸
产品系列还提供了从16GB到1.6TB的各种存储容量。
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