5mm过电压电涌放电器8/20微秒波形的耐浪涌电流额定值
发布时间:2021/2/9 11:22:48 访问次数:650
碳化硅MOSFET是像我们这样的逆变器公司的优秀解决方案。
碳化硅（SiC）功率器件,罗姆（RoHM）在SiC功率器件和模块的开发中处于领先地位，可在许多行业的应用中提供更高的节能效果。
ROHM的广泛产品组合包括SiC肖特基势垒二极管（SBD）、SiC MOSFET、全SiC功率模块（集成SiC SBD和MOSFET）以及高耐热功率模块。
这些紧凑而有效的半导体器件具有显着减小最终产品尺寸的潜力。
核心处理器ARM® Cortex®-M0内核规格32-位速度50MHz连接能力CANbus，I2C，IrDA，LINbus，SPI，UART/USART外设欠压检测/复位，DMA，POR，PWM，WDTI/O 数42程序存储容量36KB（36K x 8）程序存储器类型闪存EEPROM 容量-RAM 大小8K x 8电压 - 供电 (Vcc/Vdd)2.5V ~ 5.5V数据转换器A/D 8x12b振荡器类型内部工作温度-40°C ~ 105°C（TA）安装类型表面贴装型封装/外壳48-LQFP供应商器件封装48-LQFP（7x7）
GDT25系列设计的速度和坚固性展示出5 mm过电压电涌放电器的新标准，特别是有着7仟安培，8/20微秒波形的耐浪涌电流额定值以及一秒可以承受7安培交流放电电流为特色。
全新GDT系列延续了客户所期望的质量、创新和卓越工程的传统。
我们提供了额外的保护解决方案设计资源，以帮助工程师们简化原型测试。
贸泽还供货WLR089 Explained Pro评估套件。该套件便于用户访问WLR089U0模块和ATSAMR34J18B器件的各种功能，还提供额外的外设来扩展电路板功能、简化定制设计开发。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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碳化硅（SiC）功率器件,罗姆（RoHM）在SiC功率器件和模块的开发中处于领先地位，可在许多行业的应用中提供更高的节能效果。
ROHM的广泛产品组合包括SiC肖特基势垒二极管（SBD）、SiC MOSFET、全SiC功率模块（集成SiC SBD和MOSFET）以及高耐热功率模块。
这些紧凑而有效的半导体器件具有显着减小最终产品尺寸的潜力。
核心处理器ARM® Cortex®-M0内核规格32-位速度50MHz连接能力CANbus，I2C，IrDA，LINbus，SPI，UART/USART外设欠压检测/复位，DMA，POR，PWM，WDTI/O 数42程序存储容量36KB（36K x 8）程序存储器类型闪存EEPROM 容量-RAM 大小8K x 8电压 - 供电 (Vcc/Vdd)2.5V ~ 5.5V数据转换器A/D 8x12b振荡器类型内部工作温度-40°C ~ 105°C（TA）安装类型表面贴装型封装/外壳48-LQFP供应商器件封装48-LQFP（7x7）
GDT25系列设计的速度和坚固性展示出5 mm过电压电涌放电器的新标准，特别是有着7仟安培，8/20微秒波形的耐浪涌电流额定值以及一秒可以承受7安培交流放电电流为特色。
全新GDT系列延续了客户所期望的质量、创新和卓越工程的传统。
我们提供了额外的保护解决方案设计资源，以帮助工程师们简化原型测试。
贸泽还供货WLR089 Explained Pro评估套件。该套件便于用户访问WLR089U0模块和ATSAMR34J18B器件的各种功能，还提供额外的外设来扩展电路板功能、简化定制设计开发。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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