动态相位对准(DPA)电路使1Gbp源同步I/O性能
发布时间:2021/2/8 8:10:57 访问次数:696
器件还集成了ESD保护,在输出功率10W时能经受10:1的电压驻波比.
AGRB10E很适合用在蜂窝移动电话,1805-1880MHz的个人通信系统(PCS),数字通信系统(DCS)以及1626-1661MHz的国际海事卫星(INMARSAT)和2110-2170MHz的通用移动通信系统(UTMS),2400-2480MHz的无线局域网(WLAN)和2500-2700MHz的多通道多点分布系统(MMDS)以及基站功率放大器.此外还可用在GSM/EDGE,TDMA,CDMA,WCDMA以及单载波和多载波等方面.它的功率增益可高达16dB,效率可达60%以上.
漏源电压Vdss达到65V,耗散功率Pd=38.9W.
制造商:Renesas Electronics产品种类:静态随机存取存储器发货限制: Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。 RoHS:N 封装 / 箱体:CDIP-28封装:Tube高度:1.65 mm 长度:37.2 mm 系列: 宽度:15.24 mm 商标:Renesas / IDT 产品类型:SRAM 13 子类别:Memory & Data Storage 零件号别名:IDT71256S100DB 71256
Stratix II器件还有创新的特性如基于AES的非挥发128位加密技术.这种加密技术保证设计在Stratix II器件的IP是安全的,免受盗窃.
有动态相位对准的1Gbps I/O传输速度,Stratix II器件嵌入的并串/串并转换器(SERDES)和动态相位对准(DPA)电路使1Gbp源同步I/O性能不会消耗逻辑资源,同时简化了PCB布局以及高速数据传输的时序管理,
Stratix II器件是第一个有非挥发加密键的SRAM FPGA. Stratix II器件由Quartus II V4.0设计软件支持.
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
器件还集成了ESD保护,在输出功率10W时能经受10:1的电压驻波比.
AGRB10E很适合用在蜂窝移动电话,1805-1880MHz的个人通信系统(PCS),数字通信系统(DCS)以及1626-1661MHz的国际海事卫星(INMARSAT)和2110-2170MHz的通用移动通信系统(UTMS),2400-2480MHz的无线局域网(WLAN)和2500-2700MHz的多通道多点分布系统(MMDS)以及基站功率放大器.此外还可用在GSM/EDGE,TDMA,CDMA,WCDMA以及单载波和多载波等方面.它的功率增益可高达16dB,效率可达60%以上.
漏源电压Vdss达到65V,耗散功率Pd=38.9W.
制造商:Renesas Electronics产品种类:静态随机存取存储器发货限制: Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。 RoHS:N 封装 / 箱体:CDIP-28封装:Tube高度:1.65 mm 长度:37.2 mm 系列: 宽度:15.24 mm 商标:Renesas / IDT 产品类型:SRAM 13 子类别:Memory & Data Storage 零件号别名:IDT71256S100DB 71256
Stratix II器件还有创新的特性如基于AES的非挥发128位加密技术.这种加密技术保证设计在Stratix II器件的IP是安全的,免受盗窃.
有动态相位对准的1Gbps I/O传输速度,Stratix II器件嵌入的并串/串并转换器(SERDES)和动态相位对准(DPA)电路使1Gbp源同步I/O性能不会消耗逻辑资源,同时简化了PCB布局以及高速数据传输的时序管理,
Stratix II器件是第一个有非挥发加密键的SRAM FPGA. Stratix II器件由Quartus II V4.0设计软件支持.
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