600V 30mΩGaN-on-SiFET,集成了驱动器和保护功能,使设计者在电源系统中获得新的功率密度和效率. LMG3422R030集成的硅驱动器是开关速度高达150V/ns.

器件集成的精密栅极偏压可以得到比分立硅栅极驱动器更高的安全操作區域(SOA).

这种集成以及相应的低电感封装,在硬开关电源拓扑中提供清晰的开关和最小的振铃.其它特性还包括可调栅极驱动强度用于EMI控制,超温和带故障指示的鲁棒的过流保护,从而提供有化的BOM成本,PCB板尺寸和占位面积.

制造商:Micron Technology产品种类:动态随机存取存储器RoHS:  类型:SDRAM - DDR2安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:FBGA-84数据总线宽度:16 bit组织:64 M x 16存储容量:1 Gbit最大时钟频率:800 MHz电源电压-最大:1.9 V电源电压-最小:1.7 V电源电流—最大值:95 mA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:封装:Tray商标:Micron 湿度敏感性:Yes 产品类型:DRAM 1368 子类别:Memory & Data Storage 单位重量:2.237 g

输入的E-CAP是小型高压电容器(CHV典型400 V)和并联的低压电容(CLV典型160 V),串联到MinE-CAP IC.输入电容的物理尺寸最小化(降低多达50%)是因为输入电容的大比例是160V而不是400V,正如在通常通用输入转换器所用的.

和InnoSwitch™ IC系列产品一起使用可得到最少的元件数量和超紧凑的AC/DC转换器.MinE-CAP具有先进大保护和安全特性包括温度检测和滞后的热关断,输入浪涌保护以及引脚开路/短路与E-CAP UV/OV故障报告.主要用在大功率密度通用输入AC/DC转换器以及非常宽输入范围(90 – 350+ VAC)的应用.

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）