单路和增强隔离的高压增强模式GaN HEMT栅极驱动器
发布时间:2021/1/29 19:19:12 访问次数:230
单路和增强隔离的高压增强模式GaN HEMT栅极驱动器.
CoolGaN™和相近GaN开关在”开态”时需要连续栅极电流几个mA,而由于低阈值电压和极快开关瞬态,还需要负”关态”电压.
广泛使用的RC耦合栅极驱动器满足这些要求,但是它依赖于开关动态的占空比特性和缺少负栅极驱动.Infineon公司的GaNEiceDRIVER™很容易解决了这些问题.
两个输出级有零下的”关态”电平,从而消除任何的占空比依赖性.
制造商:Diodes Incorporated 产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:NPN 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V 集电极—基极电压 VCBO:80 V 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V 集电极—射极饱和电压:160 mV 最大直流电集电极电流:1 A Pd-功率耗散:500 mW 增益带宽产品fT:150 MHz 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C 系列: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:1.02 mm 长度:3.04 mm 技术:Si 宽度:1.4 mm 商标:Diodes Incorporated 集电极连续电流:1 A 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors 10000 子类别:Transistors 单位重量:8 mg
高精度单向电流检测放大器(CSA),输入共模范围从0V到70V,通过保护, 输入共模范围可低至-42V和高达+80V.低输入失调为±0.5μV(典型),低增益误差为±0.05%(典型),使得MAX49921非常适合用作高精度电流测量.器件工作电压从2.7V到5.5V,典型静态电流为0.7mA,工作温度-40C 到 +125C汽车温度范围,并满足AEC-Q100汽车资质.
140dB DC CMRR,-3dB带宽为65kHz.增益选择为20V/V和50V/V.
采用2mm x 3mm 8引脚TDFN封装.主要用在电磁线圈电流检测,电池电流监视,感性负载电流监视,高边和低边电流检测,超级电容充/放电监测,精密高压电流监视和汽车电流检测.
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
单路和增强隔离的高压增强模式GaN HEMT栅极驱动器.
CoolGaN™和相近GaN开关在”开态”时需要连续栅极电流几个mA,而由于低阈值电压和极快开关瞬态,还需要负”关态”电压.
广泛使用的RC耦合栅极驱动器满足这些要求,但是它依赖于开关动态的占空比特性和缺少负栅极驱动.Infineon公司的GaNEiceDRIVER™很容易解决了这些问题.
两个输出级有零下的”关态”电平,从而消除任何的占空比依赖性.
制造商:Diodes Incorporated 产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:NPN 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V 集电极—基极电压 VCBO:80 V 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V 集电极—射极饱和电压:160 mV 最大直流电集电极电流:1 A Pd-功率耗散:500 mW 增益带宽产品fT:150 MHz 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C 系列: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:1.02 mm 长度:3.04 mm 技术:Si 宽度:1.4 mm 商标:Diodes Incorporated 集电极连续电流:1 A 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors 10000 子类别:Transistors 单位重量:8 mg
高精度单向电流检测放大器(CSA),输入共模范围从0V到70V,通过保护, 输入共模范围可低至-42V和高达+80V.低输入失调为±0.5μV(典型),低增益误差为±0.05%(典型),使得MAX49921非常适合用作高精度电流测量.器件工作电压从2.7V到5.5V,典型静态电流为0.7mA,工作温度-40C 到 +125C汽车温度范围,并满足AEC-Q100汽车资质.
140dB DC CMRR,-3dB带宽为65kHz.增益选择为20V/V和50V/V.
采用2mm x 3mm 8引脚TDFN封装.主要用在电磁线圈电流检测,电池电流监视,感性负载电流监视,高边和低边电流检测,超级电容充/放电监测,精密高压电流监视和汽车电流检测.
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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