集成的ARM MCU允许进行FOC 6步无传感器
发布时间:2021/1/27 22:19:46 访问次数:731
系统封装芯片250V三相控制器,嵌入了ARM® 32位 Cortex®-M0 CPU和250V三相半桥栅极驱动器,能够驱动N沟功率MOSFET或IGBT.
器件还集成了具有先进smartSD功能的比较器,从而保证快速和有效的对过载和过流的保护.
器件还集成了高压自举二极管,以及抗交叉导通,死区和低和高驱动部分的UVLO保护,从而避免了功率开关工作在低效率或危险条件.
主要用在电池供电和110Vac电源和花园工具,工业风扇和泵,家用电器以及工业和家庭自动化.
制造商:STMicroelectronics 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TO-252-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:500 V Id-连续漏极电流:5.6 A Rds On-漏源导通电阻:1.2 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 V 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:90 W 通道模式:Enhancement 商标名: 配置:Single 高度:2.4 mm 长度:6.6 mm 系列: 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:6.2 mm 商标:STMicroelectronics 下降时间:23 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:23.5 ns 2500 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:31 ns 典型接通延迟时间:12 ns 单位重量:4 g
器件满足AECQ-100 Grade 1温度范围-40C 到 125C,65V工作电压,具有超低功耗:待机模式为2A,关断模式为2μA.具有单独可配置的安全如过压,欠温和欠压,超温以及一个电池不匹配告警.
主要用在高压电池堆栈,电动汽车(EV),混合电动汽车(HEV),电动自行车,电池备份系统(UPS或ESS),超级电容系统和电池电动工具.
集成的ARM MCU允许进行FOC,6步无传感器和其它先进的算法,包括速度控制回路.栅极驱动电压从9V到20V, ARM® 32位 Cortex®-M0 CPU工作频率高达48MHz,工作温度-40 到 +125 C.
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
系统封装芯片250V三相控制器,嵌入了ARM® 32位 Cortex®-M0 CPU和250V三相半桥栅极驱动器,能够驱动N沟功率MOSFET或IGBT.
器件还集成了具有先进smartSD功能的比较器,从而保证快速和有效的对过载和过流的保护.
器件还集成了高压自举二极管,以及抗交叉导通,死区和低和高驱动部分的UVLO保护,从而避免了功率开关工作在低效率或危险条件.
主要用在电池供电和110Vac电源和花园工具,工业风扇和泵,家用电器以及工业和家庭自动化.
制造商:STMicroelectronics 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TO-252-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:500 V Id-连续漏极电流:5.6 A Rds On-漏源导通电阻:1.2 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 V 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:90 W 通道模式:Enhancement 商标名: 配置:Single 高度:2.4 mm 长度:6.6 mm 系列: 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:6.2 mm 商标:STMicroelectronics 下降时间:23 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:23.5 ns 2500 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:31 ns 典型接通延迟时间:12 ns 单位重量:4 g
器件满足AECQ-100 Grade 1温度范围-40C 到 125C,65V工作电压,具有超低功耗:待机模式为2A,关断模式为2μA.具有单独可配置的安全如过压,欠温和欠压,超温以及一个电池不匹配告警.
主要用在高压电池堆栈,电动汽车(EV),混合电动汽车(HEV),电动自行车,电池备份系统(UPS或ESS),超级电容系统和电池电动工具.
集成的ARM MCU允许进行FOC,6步无传感器和其它先进的算法,包括速度控制回路.栅极驱动电压从9V到20V, ARM® 32位 Cortex®-M0 CPU工作频率高达48MHz,工作温度-40 到 +125 C.
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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