单个场效应管的功率也变小分为动态功耗和静态功耗
发布时间:2023/4/20 23:35:34 访问次数:158
骁龙888的小米11性能提升有限，功耗直接上升。
骁龙888的代工厂三星的5nm工艺制程的不成熟，由此以来三星自己的两款5nm芯片也面临“翻车”风险。
芯片的晶体管数量每隔18个月翻一番，性能也将提升一倍，但晶体管的微缩越来越难，如今在从7nm到5nm的推进中，手机芯片的表现似乎并不尽人意，不仅在性能提升方面受限，功耗也“翻车”，面临先进制程性价比上的尴尬。
集成电路的功耗可以分为动态功耗和静态功耗。
福建芯鸿科技有限公司http://xhkjgs.51dzw.com
最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 125 C 关闭:No Shutdown 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-14 封装:Reel 放大器类型:Low Power Amplifier 输入类型:Differential 产品:Precision Amplifiers 技术:Bipolar 商标:Renesas / Intersil THD + 噪声:0.0009 % In—输入噪声电流密度:0.1 pA/sqrt Hz Ios - 输入偏置电流 :0.08 nA 湿度敏感性:Yes 产品类型:Precision Amplifiers PSRR - 电源抑制比:145 dB
在电流不变的情况下，单个场效应管的功率也变小。单位面积内晶体管数目倍速增长又提升静态功耗，因此最终单位面积内的静态功耗可能保持不变。
用更小面积的芯片承载更多的晶体管，看似是达成了制程越先进，芯片性能越好，功耗越低。但实际情况往往复杂得多，为提升芯片整体性能，有人增加核心，有人设计更复杂的电路，随之而来的是更多的路径刺激功耗增长，又需要新的方法来平衡功耗。
对芯片行业影响重大的FinFET就是平衡芯片性能与功耗的方法之一.
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
骁龙888的小米11性能提升有限，功耗直接上升。
骁龙888的代工厂三星的5nm工艺制程的不成熟，由此以来三星自己的两款5nm芯片也面临“翻车”风险。
芯片的晶体管数量每隔18个月翻一番，性能也将提升一倍，但晶体管的微缩越来越难，如今在从7nm到5nm的推进中，手机芯片的表现似乎并不尽人意，不仅在性能提升方面受限，功耗也“翻车”，面临先进制程性价比上的尴尬。
集成电路的功耗可以分为动态功耗和静态功耗。
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在电流不变的情况下，单个场效应管的功率也变小。单位面积内晶体管数目倍速增长又提升静态功耗，因此最终单位面积内的静态功耗可能保持不变。
用更小面积的芯片承载更多的晶体管，看似是达成了制程越先进，芯片性能越好，功耗越低。但实际情况往往复杂得多，为提升芯片整体性能，有人增加核心，有人设计更复杂的电路，随之而来的是更多的路径刺激功耗增长，又需要新的方法来平衡功耗。
对芯片行业影响重大的FinFET就是平衡芯片性能与功耗的方法之一.
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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