14位25Mbps模数转换器(ADC)LTC1745和LTC1746
发布时间:2021/1/21 20:17:45 访问次数:499
14位25Mbps模数转换器(ADC)LTC1745和LTC1746，它能节省功率和能数字化高频信号。
这两种产品的信噪比(SNR)为77.5dB,无毛刺动态范围(SFDR)为 99dB，LTC的功耗只有390mW。此外，该公司还推出引脚兼容的12位25Mbps的ADC LTC1745，SNR为72.5dB,SDFR 为96dB。
两种器件的输入范围允许专用的动态范围可优化在±1V 到±1.6V。如果输入信号超出范围，在过流引脚会有显示。
此外也提供独立的输出电源引脚，能连接到任何的CMOS逻辑电平系列产品。
制造商:Texas Instruments 产品种类:运算放大器 - 运放 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:CDIP-8 通道数量:2 Channel 电源电压-最大:32 V GBP-增益带宽产品:700 kHz 每个通道的输出电流:30 mA SR - 转换速率 :0.3 V/us Vos - 输入偏置电压 :5 mV 电源电压-最小:3 V 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 125 C Ib - 输入偏流:150 nA 工作电源电流:350 uA 关闭:No Shutdown CMRR - 共模抑制比:70 dB to 80 dB en - 输入电压噪声密度:40 nV/sqrt Hz 封装:Tube 放大器类型:High Gain Amplifier 高度:4.57 mm 输入类型:Rail-to-Rail 长度:9.6 mm 电源类型:Single, Dual 技术:Bipolar 宽度:6.67 mm 商标:Texas Instruments 双重电源电压:+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V 最大双重电源电压:+/- 16 V 最小双重电源电压:+/- 1.5 V 工作电源电压:32 V 产品类型:Op Amps - Operational Amplifiers 工厂包装数量1 子类别:Amplifier ICs Vcm - 共模电压:Negative Rail to Positive Rail - 1.5 V 电压增益 dB:100 dB
单一的氧化物缺陷不会导致像在传统浮置栅非易失性存储器中那样的电荷完全损失。硅纳米晶体存储器是潜在产品能替代传统的闪存，它广泛应用在汽车电子，家用电器，无线设备和工业控制。
闪存允许制造商存储软件代码和数据。这种灵活性允许制造商在开发阶段能经常重新编程微控制器或在现场存储控制器的数据。
它能很快适应快速变化的市场需要，或在现场遥控修改有问题的软件,能增加可靠性和可量测性.
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
14位25Mbps模数转换器(ADC)LTC1745和LTC1746，它能节省功率和能数字化高频信号。
这两种产品的信噪比(SNR)为77.5dB,无毛刺动态范围(SFDR)为 99dB，LTC的功耗只有390mW。此外，该公司还推出引脚兼容的12位25Mbps的ADC LTC1745，SNR为72.5dB,SDFR 为96dB。
两种器件的输入范围允许专用的动态范围可优化在±1V 到±1.6V。如果输入信号超出范围，在过流引脚会有显示。
此外也提供独立的输出电源引脚，能连接到任何的CMOS逻辑电平系列产品。
制造商:Texas Instruments 产品种类:运算放大器 - 运放 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:CDIP-8 通道数量:2 Channel 电源电压-最大:32 V GBP-增益带宽产品:700 kHz 每个通道的输出电流:30 mA SR - 转换速率 :0.3 V/us Vos - 输入偏置电压 :5 mV 电源电压-最小:3 V 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 125 C Ib - 输入偏流:150 nA 工作电源电流:350 uA 关闭:No Shutdown CMRR - 共模抑制比:70 dB to 80 dB en - 输入电压噪声密度:40 nV/sqrt Hz 封装:Tube 放大器类型:High Gain Amplifier 高度:4.57 mm 输入类型:Rail-to-Rail 长度:9.6 mm 电源类型:Single, Dual 技术:Bipolar 宽度:6.67 mm 商标:Texas Instruments 双重电源电压:+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V 最大双重电源电压:+/- 16 V 最小双重电源电压:+/- 1.5 V 工作电源电压:32 V 产品类型:Op Amps - Operational Amplifiers 工厂包装数量1 子类别:Amplifier ICs Vcm - 共模电压:Negative Rail to Positive Rail - 1.5 V 电压增益 dB:100 dB
单一的氧化物缺陷不会导致像在传统浮置栅非易失性存储器中那样的电荷完全损失。硅纳米晶体存储器是潜在产品能替代传统的闪存，它广泛应用在汽车电子，家用电器，无线设备和工业控制。
闪存允许制造商存储软件代码和数据。这种灵活性允许制造商在开发阶段能经常重新编程微控制器或在现场存储控制器的数据。
它能很快适应快速变化的市场需要，或在现场遥控修改有问题的软件,能增加可靠性和可量测性.
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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