0.15微米技术的256Mb容量的NOR型闪存
发布时间:2021/1/18 18:12:13 访问次数:215
256Mb NOR型闪存uPD29F256115 和uPD29F256415，它采用多级单元(MLC)技术提供更低成本的存储器产品，以适合用于需要增加功能的移动应用。
采用MLC技术，NEC宣称已能增加存储器容量，而存储器单元的尺寸却减小一半。每个芯片有更多的存储，设计者由于在每个设计中采用较少的芯片而维持低成本。
基于MLC技术的闪存速度比非MLC器件慢。为解决这个问题，NEC公司采用读电路设计，以允许NOR型闪存在读周期中以更快的读取速度来运行。
制造商:Vishay 产品种类:稳压二极管 Vz - 齐纳电压:200 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-219AB-2 Pd-功率耗散:800 mW 电压容差:5 % 电压温度系数:0.13 %/C 齐纳电流:5 uA Zz - 齐纳阻抗:500 Ohms 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 175 C 配置:Single 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 系列: 高度:1.08 mm 长度:2.9 mm 端接类型:SMD/SMT 宽度:1.9 mm 商标:Vishay Semiconductors Ir - 反向电流 :5 uA 产品类型:Zener Diodes 3000 子类别:Diodes & Rectifiers 商标名: Vf - 正向电压:1.2 V 单位重量:150 mg
这就使该公司能开发出低成本高容量模块，达到非MLC产品同样的读取速度。
NEC公司采用0.15微米技术来提供有256Mb容量的NOR型闪存，其读取速度为85ns，页读取速度为25ns。
uD29F256115采用32位数据总线，进一步优化在移动应用方面的性能。
器件可以是精细间隔的FBGA封装和堆栈式多片封装(S-MCP)，它结合了闪存和移动专用的RAM或静态RAM。
256Mb NOR型闪存uPD29F256115 和uPD29F256415，它采用多级单元(MLC)技术提供更低成本的存储器产品，以适合用于需要增加功能的移动应用。
采用MLC技术，NEC宣称已能增加存储器容量，而存储器单元的尺寸却减小一半。每个芯片有更多的存储，设计者由于在每个设计中采用较少的芯片而维持低成本。
基于MLC技术的闪存速度比非MLC器件慢。为解决这个问题，NEC公司采用读电路设计，以允许NOR型闪存在读周期中以更快的读取速度来运行。
制造商:Vishay 产品种类:稳压二极管 Vz - 齐纳电压:200 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-219AB-2 Pd-功率耗散:800 mW 电压容差:5 % 电压温度系数:0.13 %/C 齐纳电流:5 uA Zz - 齐纳阻抗:500 Ohms 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 175 C 配置:Single 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 系列: 高度:1.08 mm 长度:2.9 mm 端接类型:SMD/SMT 宽度:1.9 mm 商标:Vishay Semiconductors Ir - 反向电流 :5 uA 产品类型:Zener Diodes 3000 子类别:Diodes & Rectifiers 商标名: Vf - 正向电压:1.2 V 单位重量:150 mg
这就使该公司能开发出低成本高容量模块，达到非MLC产品同样的读取速度。
NEC公司采用0.15微米技术来提供有256Mb容量的NOR型闪存，其读取速度为85ns，页读取速度为25ns。
uD29F256115采用32位数据总线，进一步优化在移动应用方面的性能。
器件可以是精细间隔的FBGA封装和堆栈式多片封装(S-MCP)，它结合了闪存和移动专用的RAM或静态RAM。
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