硅三极管组成复合管超高电磁兼容辐射的应用
发布时间:2021/1/18 12:20:33 访问次数:489
双级滤波器的设计，加上质量顶尖的元器件，比如大尺寸薄膜电容器和拥有高渗透性磁芯的扼流圈，使该系列具有卓越的宽带滤波器衰减性能。
该双级滤波器系列主要适合行业中常见的具有超高电磁兼容辐射的应用。典型应用包括用于自动生产、电机驱动器和工业厂房机械的机器和系统。
汽车应用的DS28E40 DeepCover AEC-Q100 1级认证器。
两次测量中阻值大的那一次便是正向接法，即黑表笔接的是正极，红表笔接的是负极。
制造商:STMicroelectronics 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:60 A Rds On-漏源导通电阻:16 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:2 V Qg-栅极电荷:54 nC 最小工作温度:- 55 C
宽度:4.6 mm 商标:STMicroelectronics 正向跨导 - 最小值:50 S 下降时间:20 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:65 ns 1000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:45 ns 典型接通延迟时间:15 ns 单位重量:330 mg
检测 10pF 以下的小电容因 10pF 以下的固定电容器容量太小，用万用表进行测量，只能定性的检查其是否有漏电，内部短路或击穿现象。测量时，可选用万用表 R&TImes;10k 挡，用两表笔分别任意接电容的两个引脚，阻值应为无穷大。
若测出阻值(指针向右摆动)为零，则说明电容漏电损坏或内部击穿。
检测 10PF～0.01μF 固定电容器是否有充电现象，进而判断其好坏。万用表选用 R&TImes;1k 挡。两只三极管的β值均为 100 以上，且穿透电流可选用 3DG6 等型号硅三极管组成复合管。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
双级滤波器的设计，加上质量顶尖的元器件，比如大尺寸薄膜电容器和拥有高渗透性磁芯的扼流圈，使该系列具有卓越的宽带滤波器衰减性能。
该双级滤波器系列主要适合行业中常见的具有超高电磁兼容辐射的应用。典型应用包括用于自动生产、电机驱动器和工业厂房机械的机器和系统。
汽车应用的DS28E40 DeepCover AEC-Q100 1级认证器。
两次测量中阻值大的那一次便是正向接法，即黑表笔接的是正极，红表笔接的是负极。
制造商:STMicroelectronics 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:60 A Rds On-漏源导通电阻:16 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:2 V Qg-栅极电荷:54 nC 最小工作温度:- 55 C
宽度:4.6 mm 商标:STMicroelectronics 正向跨导 - 最小值:50 S 下降时间:20 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:65 ns 1000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:45 ns 典型接通延迟时间:15 ns 单位重量:330 mg
检测 10pF 以下的小电容因 10pF 以下的固定电容器容量太小，用万用表进行测量，只能定性的检查其是否有漏电，内部短路或击穿现象。测量时，可选用万用表 R&TImes;10k 挡，用两表笔分别任意接电容的两个引脚，阻值应为无穷大。
若测出阻值(指针向右摆动)为零，则说明电容漏电损坏或内部击穿。
检测 10PF～0.01μF 固定电容器是否有充电现象，进而判断其好坏。万用表选用 R&TImes;1k 挡。两只三极管的β值均为 100 以上，且穿透电流可选用 3DG6 等型号硅三极管组成复合管。
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