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存储密度最好的办法是采用更为先进的工艺速度提升50%

发布时间:2023/4/27 8:42:25 访问次数:153

在5G手机中,出现了一个新名词:LPDDR5。例如小米10/Pro发布时,小米的掌门人雷军先生称搭载了的LPDDR5内存,带来了强悍的性能,例如与前代产品相比,数据访问速度提升了 50%,在游戏场景下功耗降低了约 20%,更多的手机厂商推出了带LPDDR5的手机。

LPDDR是针对RAM(运行内存)的低功耗DDR内存,全称Low Power Double Data Rate(低功耗双倍数据速率内存),是美国JEDEC固态技术协会面向低功耗内存而制定的通信标准,以低功耗和小体积著称,专门用于移动式电子产品。而LPDDR5就是最新的标准。

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配置:Single 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 系列: 高度:0.75 mm 长度:2.5 mm 宽度:1.25 mm 商标:Diodes Incorporated Ir - 反向电流 :120 uA 产品类型:Zener Diodes 3000 子类别:Diodes & Rectifiers Vf - 正向电压:900 mV 单位重量:4 mg

有一个经典的“5G之花”,说明了5G比4G的优势,可见除了速率更快之外,5G空中接口的时延更低,只有4G的1/5;峰值速率更高,是4G的20倍;移动性更快,是4G的4倍等特点。

提升存储密度最好的办法是采用更为先进的工艺,例如美光在LPDDR5产品中采用了目前存储芯片制程中最先进的1Z纳米的制程技术工艺。 然而1Z纳米技术并不是工艺的极限,在1Z纳米之后,还会有1α、1β、1γ等10纳米级制造的工艺。

20纳米相当于一根头发丝直径的三千分之一。在内存工艺进入20nm之后,由于制造难度越来越高,内存芯片公司对工艺的定义已经不是具体的线宽,而是分成了1X、1Y、1Z,1X工艺相当于16~19纳米、1Y相当于14~16纳米,1Z相当于12~14纳米的级别。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


在5G手机中,出现了一个新名词:LPDDR5。例如小米10/Pro发布时,小米的掌门人雷军先生称搭载了的LPDDR5内存,带来了强悍的性能,例如与前代产品相比,数据访问速度提升了 50%,在游戏场景下功耗降低了约 20%,更多的手机厂商推出了带LPDDR5的手机。

LPDDR是针对RAM(运行内存)的低功耗DDR内存,全称Low Power Double Data Rate(低功耗双倍数据速率内存),是美国JEDEC固态技术协会面向低功耗内存而制定的通信标准,以低功耗和小体积著称,专门用于移动式电子产品。而LPDDR5就是最新的标准。

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有一个经典的“5G之花”,说明了5G比4G的优势,可见除了速率更快之外,5G空中接口的时延更低,只有4G的1/5;峰值速率更高,是4G的20倍;移动性更快,是4G的4倍等特点。

提升存储密度最好的办法是采用更为先进的工艺,例如美光在LPDDR5产品中采用了目前存储芯片制程中最先进的1Z纳米的制程技术工艺。 然而1Z纳米技术并不是工艺的极限,在1Z纳米之后,还会有1α、1β、1γ等10纳米级制造的工艺。

20纳米相当于一根头发丝直径的三千分之一。在内存工艺进入20nm之后,由于制造难度越来越高,内存芯片公司对工艺的定义已经不是具体的线宽,而是分成了1X、1Y、1Z,1X工艺相当于16~19纳米、1Y相当于14~16纳米,1Z相当于12~14纳米的级别。


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