两边冷却的SO-8 SMT封装来控制频率和幅度
发布时间:2020/12/31 8:57:09 访问次数:312
Intersil的EL6229C是双三通道(一个读和两个写)激光驱动器,改善了两种CD和DVD激光二极管的电流控制。每个通道有独立的DVD或CD驱动器输出使能引脚。这就简化控制,和现有的单通道设计100%兼容。和Intersil新型EL622XC其它系列产品一样,EL6229C改善波形保真度,增加输出电流,降低功耗和噪音,使更高速度的CD-R/RW和DVD设计成为可能。
EL6229C有片上60MHz的振荡器,用外接电阻(一端接地)来控制频率和幅度。外接电阻使用户能用电阻上的电压准确和独立地设定每个放大器的跨导而不管电压的大小,保证了DAC宽电压容量。

功能:
超宽带频率范围:10 MHz至60 GHz
衰减范围:2 dB步进至22 dB
低插入损耗
衰减精度
典型步进误差
高输入线性度
高RF输入功率处理:
相对相位中的紧凑分布
无低频杂散信号
并行模式控制,
CMOS和LVTTL兼容
RF幅度建立时间(0.1 dB最终RF输出):175 ns
16引脚、
2.5 mm × 2.5 mm、
LGA封装
应用:
工业扫描仪
测试和仪器仪表
蜂窝基础设施:5G 毫米波
军用无线电、雷达、
电子对抗(ECM)
微波无线电
甚小孔径终端(VSAT)
产品描述:
ADRF5740
是一款硅、4位数字衰减器,
以2 dB步长提供22 dB
衰减控制范围。

30V IRF607封在两边冷却的SO-8 SMT封装,在导通和开关损耗都有重大的改进,它的2.7耗欧姆超低导通电阻在SO-8封装中是最小的。它的低栅极电荷和栅-漏电荷以及比SO-8封装MOSFET低70%的封装电感,使它在兆赫频率范围有低的开关损耗。
DirectFET封装的高热导性能很快把热量散出去。采用热沉从封装的顶部把热散走,降低了每个MOSFET周围的面积,缩小电路尺寸,降低PCB的寄生电感,从而消除不必要的开关损耗。
DirectFET MOSFET IRF6607,专门设计用在高频同步降压转换器中。
(素材来源:eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
Intersil的EL6229C是双三通道(一个读和两个写)激光驱动器,改善了两种CD和DVD激光二极管的电流控制。每个通道有独立的DVD或CD驱动器输出使能引脚。这就简化控制,和现有的单通道设计100%兼容。和Intersil新型EL622XC其它系列产品一样,EL6229C改善波形保真度,增加输出电流,降低功耗和噪音,使更高速度的CD-R/RW和DVD设计成为可能。
EL6229C有片上60MHz的振荡器,用外接电阻(一端接地)来控制频率和幅度。外接电阻使用户能用电阻上的电压准确和独立地设定每个放大器的跨导而不管电压的大小,保证了DAC宽电压容量。

功能:
超宽带频率范围:10 MHz至60 GHz
衰减范围:2 dB步进至22 dB
低插入损耗
衰减精度
典型步进误差
高输入线性度
高RF输入功率处理:
相对相位中的紧凑分布
无低频杂散信号
并行模式控制,
CMOS和LVTTL兼容
RF幅度建立时间(0.1 dB最终RF输出):175 ns
16引脚、
2.5 mm × 2.5 mm、
LGA封装
应用:
工业扫描仪
测试和仪器仪表
蜂窝基础设施:5G 毫米波
军用无线电、雷达、
电子对抗(ECM)
微波无线电
甚小孔径终端(VSAT)
产品描述:
ADRF5740
是一款硅、4位数字衰减器,
以2 dB步长提供22 dB
衰减控制范围。

30V IRF607封在两边冷却的SO-8 SMT封装,在导通和开关损耗都有重大的改进,它的2.7耗欧姆超低导通电阻在SO-8封装中是最小的。它的低栅极电荷和栅-漏电荷以及比SO-8封装MOSFET低70%的封装电感,使它在兆赫频率范围有低的开关损耗。
DirectFET封装的高热导性能很快把热量散出去。采用热沉从封装的顶部把热散走,降低了每个MOSFET周围的面积,缩小电路尺寸,降低PCB的寄生电感,从而消除不必要的开关损耗。
DirectFET MOSFET IRF6607,专门设计用在高频同步降压转换器中。
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