SRAM、闪存或ROM存储高压应用的DC/DC转换器SIP90
发布时间:2020/12/31 0:34:34 访问次数:556
价格低于$20的高压应用的DC/DC转换器SIP90,输出电压从低于10V到90V,输出电流高达1mA。很适合用在雪崩光电二极管偏压中,它的占位面积仅为29.2x4.06mm,高度为13.97mm。
转换器的输入电压从2.7V 到6.7V,可编程电压从0V到4.5V。它的波纹电压小于2 mVp-p,线和负载调整分别为0.06% 和0.025%。温度系数低于200ppm/度。加电后输出功率变化每小时小于0.01%。
Lockbox™ 安全技术:
2个双通道、
全双工同步串行端口,
支持8个立体声I2S通道
12个外设DMA通道,
支持一维和二维数据传输
NAND闪存控制器,
配有8位接口,
支持命令、地址和数据
以太网10/100 MII接口
内存控制器为多个外部SDRAM、
SRAM、闪存或ROM存储提供无缝连接
低处理器待机功耗:
289引脚、
12x12 mm、
小型BGA
产品描述:
ADSP-BF526C
高性能16/32位Blackfin嵌入式处理器内核、
灵活的高速缓存架构、
增强型DMA子系统
以及动态电源管理(DPM)功能,
使系统设计人员拥有一个灵活
平台来处理各种便携式应用,
包括消费电子、通信、
工业和仪器仪表。
晶体管/肖特基二极管组合封装器件ZX3CD和ZXMxS系列,有N-MOSFET和P-MOSFET以及NPN和PNP双极管不同版本,封装尺寸为3x2x0.9mm,比通常的SM8封装小88%。
双极器件的指标包括有Ic电流在3A到4.5A之间,1A时的饱和压降VCE(sat)在140和20mV之间和饱和电阻RCE(sat) 在47 和104 mW,额定电压有12,20和40V三种。MOSFET的指标包括有漏极电流Id在0.3-2A之间,导通电阻RDS(on) 在180 和900 mW之间, 漏源击穿电压BVDSS 在0 和40 V之间。
价格低于$20的高压应用的DC/DC转换器SIP90,输出电压从低于10V到90V,输出电流高达1mA。很适合用在雪崩光电二极管偏压中,它的占位面积仅为29.2x4.06mm,高度为13.97mm。
转换器的输入电压从2.7V 到6.7V,可编程电压从0V到4.5V。它的波纹电压小于2 mVp-p,线和负载调整分别为0.06% 和0.025%。温度系数低于200ppm/度。加电后输出功率变化每小时小于0.01%。
Lockbox™ 安全技术:
2个双通道、
全双工同步串行端口,
支持8个立体声I2S通道
12个外设DMA通道,
支持一维和二维数据传输
NAND闪存控制器,
配有8位接口,
支持命令、地址和数据
以太网10/100 MII接口
内存控制器为多个外部SDRAM、
SRAM、闪存或ROM存储提供无缝连接
低处理器待机功耗:
289引脚、
12x12 mm、
小型BGA
产品描述:
ADSP-BF526C
高性能16/32位Blackfin嵌入式处理器内核、
灵活的高速缓存架构、
增强型DMA子系统
以及动态电源管理(DPM)功能,
使系统设计人员拥有一个灵活
平台来处理各种便携式应用,
包括消费电子、通信、
工业和仪器仪表。
晶体管/肖特基二极管组合封装器件ZX3CD和ZXMxS系列,有N-MOSFET和P-MOSFET以及NPN和PNP双极管不同版本,封装尺寸为3x2x0.9mm,比通常的SM8封装小88%。
双极器件的指标包括有Ic电流在3A到4.5A之间,1A时的饱和压降VCE(sat)在140和20mV之间和饱和电阻RCE(sat) 在47 和104 mW,额定电压有12,20和40V三种。MOSFET的指标包括有漏极电流Id在0.3-2A之间,导通电阻RDS(on) 在180 和900 mW之间, 漏源击穿电压BVDSS 在0 和40 V之间。