ROHM将持续扩充封装阵容，以支持更广泛的应用。还计划推进车载级产品的开发。除此以外，随着人们利用网络的“云端”工作模式和生活模式的快速发展，需要进一步丰富适用于需求日益扩大的数据中心服务器以及5G基站的产品阵容。ROHM在此次推出的第五代Pch MOSFET基础上，还将持续推进更高效率的Nch MOSFET*2开发工作，为减少应用产品的设计工时并提高可靠性和效率做出贡献。

在工业设备和消费电子设备等领域，采用高输入电压的电源电路来实现高级控制的客户越来越多，对于MOSFET产品，除了低导通电阻的要求之外，也表现出对高耐压性能与日俱增的需求。

金属－氧化物－半导体场效应晶体管，是FET中最常用的结构。用作开关元件。

Pch MOSFET：通过向栅极施加相对于源极为负的电压而导通的MOSFET。可用比低于输入电压低的电压驱动，因此电路结构较为简单。

器件能降低设计时间，减少元件数目和板的空间，使工程师能用一个RF单元包来代替包括晶体管，电阻和电容等多个分立元件。

Nch MOSFET：通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。相比Pch MOSFET，漏源间的导通电阻更小，因此可减少常规损耗。

使MOSFET启动（ON）时漏极与源极之间的电阻值。该值越小，则运行时的损耗（电力损耗）越少。

沟槽（Trench）意为凹槽。是在芯片表面形成凹槽，并在其侧壁形成MOSFET栅极的结构。不存在平面型MOSFET在结构上存在的JFET电阻，比平面结构更容易实现微细化。

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