由于管脚是扁平的，所以CLCC封装的顶部是平直的，从而可以对高度实现更加精确的布局，进而更加迅速、简便地对光进行调节。新的封装还增强了热性能，可以在更广泛的温度范围内保证工作的稳定性。

新器件的特点表明我们致力于为客户提供高性能、低能耗、与众不同的系统。作为交换机和路由器半导体领域领先的厂商，我们可缩短高质量的器件和开发工具的上市时间，为顾客提供所要求的性能、密度和特色。

制造商:Microchip 产品种类:运算放大器 - 运放 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 通道数量:2 Channel 电源电压-最大:5.5 V GBP-增益带宽产品:300 kHz 每个通道的输出电流:23 mA SR - 转换速率 :0.1 V/us Vos - 输入偏置电压 :5 mV 电源电压-最小:1.8 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 125 C Ib - 输入偏流:1100 pA 工作电源电流:20 uA 关闭:No Shutdown CMRR - 共模抑制比:61 dB en - 输入电压噪声密度:52 nV/sqrt Hz 系列: 资格:AEC-Q100 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 放大器类型:Operational Amplifiers 高度:1.25 mm (Min) 长度:4.9 mm 产品:Operational Amplifiers 电源类型:Single 技术:CMOS 宽度:3.9 mm 商标:Microchip Technology In—输入噪声电流密度:0.0006 pA/sqrt Hz 湿度敏感性:Yes 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V 产品类型:Op Amps - Operational Amplifiers PSRR - 电源抑制比:83 dB 3300 子类别:Amplifier ICs 电压增益 dB:110 dB 单位重量:540 mg

FDB045AN08A0, FDP047AN08A0和FDD16AN08A0 N- MOSFET，据称在42V汽车电子市场中，室温的导通电阻RDS(on)是最低的，4.5m欧姆。当用多个器件并联来控制大功率负载时，符合AECQ101标准的75V器件要有低栅电荷，以限制驱动电流的要求。

其指标如下：导通电阻RDS(on) 4.5到16m欧姆，总电荷：47到138nC，抗50A单脉冲和重复脉冲不钳位感性电涌能力为600mJ。器件封装为TO-264，TO-220和TO-252。