电容的物理尺寸最小化(降低多达50%)是因为输入电容的大比例是160V而不是400V,正如在通常通用输入转换器所用的.和InnoSwitch™ IC系列产品一起使用可得到最少的元件数量和超紧凑的AC/DC转换器.

MinE-CAP具有先进大保护和安全特性包括温度检测和滞后的热关断,输入浪涌保护以及引脚开路/短路与E-CAP UV/OV故障报告.主要用在大功率密度通用输入AC/DC转换器以及非常宽输入范围(90 – 350+ VAC)的应用.

负VGS出现的一个原因是由关断时驱动集成电路和碳化硅MOSFET之间电路板寄生电感制造的栅源极电压振荡，这振荡是由于碳化硅MOSFET关断时电路板寄生电感有高速关断电流(di/dt)通过所致。

第二个常见原因是导通时由电容驱动的栅极-源极电压，其源于半桥配置中第二个碳化硅MOSFET的高dv/dt开关。

硅MOSFET设计中在此类问题一般可以通过栅极驱动器和硅MOSFET栅极之间插入一个高阻值电阻，或找到一种减慢di/dt和dv/dt的方式来解决。不幸的是，这些方法会导致开关损耗增加和系统效率降低。而在使用碳化硅MOSFET时，只需在栅极和源极之间增加一个二极管电压钳位。

变换器采用有所有权的限流控制方案，其效率能达到90%，其静态电流低到50uA。1.2-MHz的工作频率使其外接元件更小，成本更低。这种组合使MAX1920和MAX1921适合用在高效率空间严格限制的线性调整器。

ISL6657设计成跃变电压每次为25mV，以避免电流浪涌的出现。器件本身有独立的使能脚，当打开ATX计算机时，允许起动时和HIP660XA MOSFET驱动器协调一致。通过使用特定的电流引脚，ISL6657也能在模快之间分配电流。

ISL6657还能用在电压调整器，高性能DC/DC转换器，PC机和母板中，负载电流可达到30-100A。

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