串行数据输出的ADC微型控制器接口
发布时间:2020/12/19 17:53:52 访问次数:549
串行接口只需要1根双向数据线、或者2条传输方向相反的数据线和少量的控制线。这样能大大地减少芯片的引脚数目,进而简化了整机的布线。
实际中多数微型控制器都有串行接口,这样给串行数据输出的ADC使用提供了便利的条件,不过这种传输方式速度慢、效率低,但随着芯片工作频率的提高,串行传输速率也得到了改善。常见的串行接口有通用异步接收/发送器、串行外围接口和I2C总线等,设计时应根据具体情况采取相应的方式。
所有的DRAM基本单位都是由一个晶体管和一个电容器组成。
制造商:Metcal产品种类:烙铁RoHS:是商标:Metcal产品类型:Soldering Irons工厂包装数量:1子类别:Solder & Equipment
制造商:ABRACON产品种类:固定电感器RoHS:是端接类型:SMD/SMT屏蔽:Shielded电感:1.2 uH容差:10 %最大直流电流:25 mA最大直流电阻:800 mOhms自谐振频率:110 MHz最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 CQ 最小值:35测试频率:10 MHz终端:-安装风格:PCB Mount封装 / 箱体:0603 (1608 metric)长度:1.6 mm宽度:0.8 mm高度:0.8 mm应用:Power系列:AIML-0603封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel芯体材料:Ferrite产品:Fixed Inductors商标:ABRACON外壳代码 - in:0603外壳代码 - mm:1608产品类型:Fixed Inductors工厂包装数量:4000子类别:Inductors, Chokes & Coils单位重量:4 mg
DRAM 的英文全称是"Dynamic RAM",翻译成中文就是"动态随机存储器"。。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM 必须隔一段时间刷新(refresh)一次。如果存储单元没有被刷新,数据就会丢失。 DRAM用于通常的数据存取。我们常说内存有多大,主要是指DRAM的容量。
DRAM一个基本单位的结构示意:电容器的状态决定了这个DRAM单位的逻辑状态是1还是0,但是电容的被利用的这个特性也是它的缺点。一个电容器可以存储一定量的电子或者是电荷。一个充电的电容器在数字电子中被认为是逻辑上的1,而“空”的电容器则是0。
串行接口只需要1根双向数据线、或者2条传输方向相反的数据线和少量的控制线。这样能大大地减少芯片的引脚数目,进而简化了整机的布线。
实际中多数微型控制器都有串行接口,这样给串行数据输出的ADC使用提供了便利的条件,不过这种传输方式速度慢、效率低,但随着芯片工作频率的提高,串行传输速率也得到了改善。常见的串行接口有通用异步接收/发送器、串行外围接口和I2C总线等,设计时应根据具体情况采取相应的方式。
所有的DRAM基本单位都是由一个晶体管和一个电容器组成。
制造商:Metcal产品种类:烙铁RoHS:是商标:Metcal产品类型:Soldering Irons工厂包装数量:1子类别:Solder & Equipment
制造商:ABRACON产品种类:固定电感器RoHS:是端接类型:SMD/SMT屏蔽:Shielded电感:1.2 uH容差:10 %最大直流电流:25 mA最大直流电阻:800 mOhms自谐振频率:110 MHz最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 125 CQ 最小值:35测试频率:10 MHz终端:-安装风格:PCB Mount封装 / 箱体:0603 (1608 metric)长度:1.6 mm宽度:0.8 mm高度:0.8 mm应用:Power系列:AIML-0603封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel芯体材料:Ferrite产品:Fixed Inductors商标:ABRACON外壳代码 - in:0603外壳代码 - mm:1608产品类型:Fixed Inductors工厂包装数量:4000子类别:Inductors, Chokes & Coils单位重量:4 mg
DRAM 的英文全称是"Dynamic RAM",翻译成中文就是"动态随机存储器"。。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM 必须隔一段时间刷新(refresh)一次。如果存储单元没有被刷新,数据就会丢失。 DRAM用于通常的数据存取。我们常说内存有多大,主要是指DRAM的容量。
DRAM一个基本单位的结构示意:电容器的状态决定了这个DRAM单位的逻辑状态是1还是0,但是电容的被利用的这个特性也是它的缺点。一个电容器可以存储一定量的电子或者是电荷。一个充电的电容器在数字电子中被认为是逻辑上的1,而“空”的电容器则是0。
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