多叶密封可提供比标准O形环更高的密封效率，同时连接时需要的力更小。Everis BLQ6 接头采用阀式设计，在连接状态下亦无密封摩擦，可以确保阀门在接头断开时能够快速且可靠地关闭。得益于无泄漏设计，在压力下断开连接亦不会发生滴漏，从而防止电子设备暴露于流体并实现设备热插拔。

Everis BLQ6 盲插接头具有可选的面板安装套件。当接头安装在指定面板或刀片孔内时，套件中的钢圈滑动到端部并卡入位，从而在生产过程中为组件中的接头提供额外的稳定性。可选的安装套件用于母座和/或插嘴，因此无需跟踪配对零件。

制造商: Texas Instruments

产品种类: 监控电路

RoHS: 详细信息

类型: Voltage Supervisory

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSSOP-8

阈值电压: 2.63 V

被监测输入数: 1 Input

输出类型: Active-high,Active-low,Push-pull

人工复位: No Manual Reset

看门狗计时器: No Watchdog

电池备用开关: Backup

重置延迟时间: Adjustable

电源电压-最大: 6 V

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 125 C

系列: TLC7703

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

特点: Active Low Enable, Manual Reset

高度: 1.15 mm

长度: 3 mm

工作温度范围: - 40 C to + 125 C

输出电流: 10 mA

宽度: 4.4 mm

商标: Texas Instruments

过电压阈值: 2.7 V

欠电压阈值: 2.63 V

工作电源电流: 9 uA

Pd-功率耗散: 525 mW

产品类型: Supervisory Circuits

工厂包装数量: 2000

子类别: PMIC - Power Management ICs

电源电压-最小: 2 V

单位重量: 39 mg

Transphorm已开始供应SuperGaN Gen V FET的样品，SuperGaN Gen V FET是一款电阻15 mΩ、电压 650 V的器件，由于其栅极灵敏度，当下流行的单芯片e-mode GaN技术在此器件中不可用。

该解决方案与采用分立封装的典型SiC MOSFET的最低电阻(R)相当，能够根据目标应用驱动10 kW以上的功率，例如EV OBC和动力系统逆变器、机架式数据中心服务器的电源、不间断工业电源应用及可再生光伏逆变器。

TP65H015G5WS也将用于裸片级封装模块解决方案，后者能够进一步并联以实现更高的功率。该公司预计其Gen V FET器件将在2021年年中获得JEDEC认证，此后也有望获得AEC-Q101认证。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）