交错时钟功能避免交叉导通的功率开关
发布时间:2020/12/6 12:11:23 访问次数:583
新款TCR3RM系列将带隙电路、低通滤波器(仅允许通过极低频率)以及低噪声高速运算放大器相结合,旨在实现业界领先的[1]高纹波抑制比[2]和低输出噪声电压。
新产品提供了优异的纹波抑制比和输出噪声电压特性,即使噪声频率达到或超过100kHz,也能够消除电路噪声。这有助于稳定电源电压,并提供较高的输出电压精度。
主要规格:器件型号TCR3RMxxA[3]封装名称DFN4C尺寸典型值(mm)@Ta=25℃1.0×1.0,厚度=0.38 工作范围
(@Ta=-40至85℃)输出电流IOUT(mA)300输出电压VOUT(V)0.9至4.5输入电压VIN(V)1.8至5.5电气特性
(除非另有说明,@Tj=25℃)输出电压
VOUT最小值/最大值(mV)@VOUT<1.8V,Tj=-40至85℃-36/36 输出电压
VOUT最小值/最大值(%)@VOUT≥1.8V,Tj=-40至85℃-2/2 静态电流
IB(ON)典型值(μA)@IOUT=0mA[4]7 纹波抑制比
R.R.典型值(dB)@f=1kHz,Ta=25℃100 @f=10kHz,Ta=25℃93 @f=100kHz,Ta=25℃68 @f=1MHz,Ta=25℃68 @f=2MHz,Ta=25℃67 输出噪声电压
650V增强模式氮化镓(GaN)高迁移率晶体管,先进的功率系统级封装,集成了栅极驱动器和两个半桥配置的增强模式氮化镓(GaN)高迁移率晶体管,具有150 mΩRDS(ON)和650V漏源极击穿电压,而嵌入高边栅极驱动很容易由集成的自举二极管供电.
MASTERGAN1对低和高驱动部分具有UVLO保护,以防止功率开关在低效率或危险条件下工作,而交错时钟功能避免了交叉导通的出现.漏极电流(IDS(MAX))为10 A,3.3V到15V兼容输入,具有超温保护.主要用在开关电源,充电器和适配器,高压PFC,DC/DC和DC/AC转换器,UPS系统和太阳能电源.
(素材来源:eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
新款TCR3RM系列将带隙电路、低通滤波器(仅允许通过极低频率)以及低噪声高速运算放大器相结合,旨在实现业界领先的[1]高纹波抑制比[2]和低输出噪声电压。
新产品提供了优异的纹波抑制比和输出噪声电压特性,即使噪声频率达到或超过100kHz,也能够消除电路噪声。这有助于稳定电源电压,并提供较高的输出电压精度。
主要规格:器件型号TCR3RMxxA[3]封装名称DFN4C尺寸典型值(mm)@Ta=25℃1.0×1.0,厚度=0.38 工作范围
(@Ta=-40至85℃)输出电流IOUT(mA)300输出电压VOUT(V)0.9至4.5输入电压VIN(V)1.8至5.5电气特性
(除非另有说明,@Tj=25℃)输出电压
VOUT最小值/最大值(mV)@VOUT<1.8V,Tj=-40至85℃-36/36 输出电压
VOUT最小值/最大值(%)@VOUT≥1.8V,Tj=-40至85℃-2/2 静态电流
IB(ON)典型值(μA)@IOUT=0mA[4]7 纹波抑制比
R.R.典型值(dB)@f=1kHz,Ta=25℃100 @f=10kHz,Ta=25℃93 @f=100kHz,Ta=25℃68 @f=1MHz,Ta=25℃68 @f=2MHz,Ta=25℃67 输出噪声电压
650V增强模式氮化镓(GaN)高迁移率晶体管,先进的功率系统级封装,集成了栅极驱动器和两个半桥配置的增强模式氮化镓(GaN)高迁移率晶体管,具有150 mΩRDS(ON)和650V漏源极击穿电压,而嵌入高边栅极驱动很容易由集成的自举二极管供电.
MASTERGAN1对低和高驱动部分具有UVLO保护,以防止功率开关在低效率或危险条件下工作,而交错时钟功能避免了交叉导通的出现.漏极电流(IDS(MAX))为10 A,3.3V到15V兼容输入,具有超温保护.主要用在开关电源,充电器和适配器,高压PFC,DC/DC和DC/AC转换器,UPS系统和太阳能电源.
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