非箝位电感开关高温下电流泄漏水平
发布时间:2020/11/28 13:14:18 访问次数:540
700和1200V碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）功率器件，为电动汽车（EV）系统设计人员提供了符合严苛汽车质量标准的解决方案，同时支持丰富的电压、电流和封装选项。
经过Microchip内部以及第三方测试，关键可靠性指标已经证明，与其他厂商生产的SiC器件相比，Microchip 的器件性能更加卓越。与其他在极端条件下出现性能下降的碳化硅（SiC）器件不同，Microchip 器件性能保持稳定，有助于延长应用寿命。Microchip 碳化硅（SiC）解决方案的可靠性和耐用性在业界处于领先水平。其耐用性测试表明，Microchip 的碳化硅肖特基二极管（SiC SBD）在非箝位电感开关（UIS）中的能量承受能力提升20%，在高温下电流泄漏水平最低，从而可以延长系统寿命，实现更可靠的运行。
制造商:Vishay 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:20 V Id-连续漏极电流:4.7 A Rds On-漏源导通电阻:39 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 V Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV Qg-栅极电荷:19 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.25 W 通道模式:Enhancement 商标名:TrenchFET 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:1.45 mm 长度:2.9 mm 系列:SI2 晶体管类型:1 P-Channel 宽度:1.6 mm 商标:Vishay Semiconductors 正向跨导 - 最小值:16 S 下降时间:48 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:43 ns 工厂包装数量:3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:71 ns 典型接通延迟时间:25 ns 零件号别名:SI2323DS-E3 单位重量:40 mg
Microchip 的SiC汽车功率器件进一步拓展了其丰富的控制器、模拟和连接解决方案产品组合，为设计人员提供电动汽车和充电站的整体系统解决方案。Microchip还利用最新一代碳化硅（SiC）裸片，提供700、1200和1700V 碳化硅肖特基二极管（SiC SBD）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）功率模块的广泛产品组合。
Microchip推出的dsPIC®数字信号控制器可提供高性能、低功耗和灵活的外设。Microchip的AgileSwitch®系列数字可编程门驱动器进一步加快了从设计阶段到生产的进程。这些解决方案还可应用于可再生能源、电网、工业、交通、医疗、数据中心、航空航天和国防系统。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
700和1200V碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）功率器件，为电动汽车（EV）系统设计人员提供了符合严苛汽车质量标准的解决方案，同时支持丰富的电压、电流和封装选项。
经过Microchip内部以及第三方测试，关键可靠性指标已经证明，与其他厂商生产的SiC器件相比，Microchip 的器件性能更加卓越。与其他在极端条件下出现性能下降的碳化硅（SiC）器件不同，Microchip 器件性能保持稳定，有助于延长应用寿命。Microchip 碳化硅（SiC）解决方案的可靠性和耐用性在业界处于领先水平。其耐用性测试表明，Microchip 的碳化硅肖特基二极管（SiC SBD）在非箝位电感开关（UIS）中的能量承受能力提升20%，在高温下电流泄漏水平最低，从而可以延长系统寿命，实现更可靠的运行。
制造商:Vishay 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:20 V Id-连续漏极电流:4.7 A Rds On-漏源导通电阻:39 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 V Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV Qg-栅极电荷:19 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.25 W 通道模式:Enhancement 商标名:TrenchFET 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:1.45 mm 长度:2.9 mm 系列:SI2 晶体管类型:1 P-Channel 宽度:1.6 mm 商标:Vishay Semiconductors 正向跨导 - 最小值:16 S 下降时间:48 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:43 ns 工厂包装数量:3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:71 ns 典型接通延迟时间:25 ns 零件号别名:SI2323DS-E3 单位重量:40 mg
Microchip 的SiC汽车功率器件进一步拓展了其丰富的控制器、模拟和连接解决方案产品组合，为设计人员提供电动汽车和充电站的整体系统解决方案。Microchip还利用最新一代碳化硅（SiC）裸片，提供700、1200和1700V 碳化硅肖特基二极管（SiC SBD）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）功率模块的广泛产品组合。
Microchip推出的dsPIC®数字信号控制器可提供高性能、低功耗和灵活的外设。Microchip的AgileSwitch®系列数字可编程门驱动器进一步加快了从设计阶段到生产的进程。这些解决方案还可应用于可再生能源、电网、工业、交通、医疗、数据中心、航空航天和国防系统。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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