第二代SiC功率MosFET，具有单位面积极低的导通电阻（RDSon）和优良的开关性能，开关损耗在结温范围内几乎没有变化。

ST提供广泛的第二代S MOSFET：额定击穿电压值从SCTxN65G2的650V到SCTxN120G2的1200V，并延伸到1700V。

ST的实验室测试比较了第二代650V SCTH35N65G2V-7 SiC MosFET与硅IGBT的开关损耗。SiC MosFET具有更低的开关损耗，即使在高温下也是如此。

这使得转换器或逆变器能够在非常高的开关频率下工作，从而减小其无源元件的尺寸。当温度超过175°C时，温度变化幅度很小，电阻也随着温度的升高而变化很小。

SiC MosFET特性

工作结温高达200°C

极低的开关损耗

无体二极管的恢复损耗

高温功率损耗较少

易于驱动

SiC MosFET应用

牵引电动机

充电站

太阳能逆变器

工厂自动化

电动机驱动

数据中心电源

工业电池充电器

不间断电源

ST第二代SiC功率MosFET标准化通态电阻与温度的关系

ST提供了完整的参考设计解决方案，三相交流-直流和直流-交流应用的基础上，优化了功率转换的数字平台。基于ST第二代SiC MOSFET支持100kHz开关，有助于减少相关无源元件的尺寸和重量，实现99%的转换效率。

金属箔贴片 (MFC) 电阻器。MFC系列使用陶瓷上贴金属箔技术，该技术结合了陶瓷基板的散热特性和金属合金体电阻元件的耐浪涌特性。由此提供了比厚膜或金体电阻更低的自热水平，比厚膜提供了更好的耐浪涌特性，这使得该电阻较好的适合于汽车、工业和医疗应用。