传统的RAID技术和Scale-up架构也阻止了传统的SAN和NAS成为EB级高可用，高性能的海量存储单元。传统的RAID基于硬盘，通常一个RAID组最多包含20+块硬盘，即使PB级规模的SAN或NAS也将被分割成多个存储孤岛，增加了EB级规模应用场景下的管理复杂度;同时Scale-up架构决定了即使SAN和NAS存储容量达到EB级，性能也将成为木桶的短板。

那么如何才能应对信息爆炸时代的数据洪流.我们设想能否有一种“超级数据图书馆”，它提供海量的、可共享的存储空间给很多用户(服务器/服务器集群)使用，提供超大的存储容量，其存储容量规模千倍于当前的高速存储单元(SAN和NAS)，用户或应用访问数据时无需知道图书馆对这些书如何摆放和管理(布局管理)，只需要提供唯一编号(ID)就可以获取到这本书的内容(数据)。如果某一本书变得老旧残破，系统自动地将即将失效或已经失效的书页(存储介质)上的数据抄写(恢复/重构)到新的纸张(存储介质)上，并重新装订这本书，数据使用者无需关注这一过程，只是根据需要去获取数据资源。

制造商:Vishay 产品种类:ESD 抑制器/TVS 二极管 RoHS: 详细信息 产品类型:TVS Diodes 极性:Unidirectional 工作电压:130 V 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA-2 (SMB) 击穿电压:144 V 钳位电压:209 V 峰值脉冲功耗 (Pppm):600 W Vesd - 静电放电电压触点:- Vesd - 静电放电电压气隙:- 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C 系列:SMBJ_A 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 商标:Vishay General Semiconductor Pd-功率耗散:1 W 工厂包装数量:750 子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes 商标名:TransZorb 零件号别名:SMBJ130D-M3/H SMBJ130D-M3/I 单位重量:96 mg

对象是数据和自描述信息的集合，是在磁盘上存储的基本单元。对象存储通过简化数据的组织形式(如将树形的“目录”和“文件”替换为扁平化的“ID”与“对象”)、降低协议与接口的复杂度(如简化复杂的锁机制，确保最终一致性)，从而提高系统的扩展性以应对信息爆炸时代海量数据的挑战。同时对象的智能自管理功能也能有效降低系统维护复杂度，帮助用户降低整体拥有成本(TCO)。

产品分类ESD抑制器/TVS二极管

过压过流保护器件

极性（单双向）单向 反向断态电压 V(RWM)13V 峰值脉冲功率600W 封装/外壳SMB(DO-214AA) 产品分类ESD抑制器/TVS二极管

过压过流保护器件

极性（单双向）单向 反向断态电压 V(RWM)13V 峰值脉冲功率600W 封装/外壳SMB(DO-214AA)