600~650V的SiC硅基GaN在成本方面比SiC要减少很多，并且GaN对比SiC有更好的开关特性，以达到更高的效率。并且开关速度可以更快，可以使整体的设计开关速度更高，以及整体设计更小。

集成不仅使体积减小，还可以使芯片智能——可以根据所处的环境的电流和温度等进行调整，这不仅使可靠性提高，还可使电源设计者省去很多设计所需要的步骤。产品与市场同类产品相比最大的优势是集成了驱动和保护，使我们的是更智能的解决方案，而不仅仅是一个GaN FET。集成的驱动就像芯片的大脑一样，可以提供一些额外的功能，例如智能死区自适应功能，可减少设备在死区的时间，从而将PFC中第三象限损耗降低了66%。

GaN-on-SiC（碳化硅基氮化镓）。因为如果使用的GaN是硅基，在成本方面要比SiC低很多。在开关频率方面，GaN可以比SiC开关频率更快以及有更好的开关特征，包括更低的损耗。而且TI 在可靠性方面也进行了很多的测试。

MH3系列符合IEC60601-1第三版标准中规定的2MOOP（250VAC）（操作人员保护装置）隔离要求。为了减少库存，同时也使他们的设备易于安装和维护，系统设计者要求DC／DC变换器能够接受大范围的输入电压。科索MH3系列可提供三种宽输入电压：4.5V到18V包括12V电池应用，9V到36V结合12V和24V电池系统，18V到76V定位24V和48V系统。MH3系列有五种一路输出电压型号：3.3V、5V、9V、12V、15V（MHFS3）和两种两路输出电压型号：+／-12V和+／-15V（MHFW3）。两路输出型号可串联使用，输出24V或30V。一路输出MHFS3型号可以通过使用二次侧的‘Vout Trim pin’进行调整。

MH3系列内置过流保护电路，具有自动恢复功能。标准品有一个负逻辑操作的遥控引脚（L:开，H:关）。

MH3系列可在-40至+85℃环境温度、20%至95%的相对湿度（非冷凝）范围内工作。根据冷却情况，在指定的测量点功率降额可适用于不超过+105℃。