新型40 V n沟道MOSFET半桥功率级---SiZ240DT，可用来提高白色家电以及工业、医疗和通信应用的功率密度和效率。Vishay SiliconixSiZ240DT在小型PowerPAIR® 3.3 mm x 3.3 mm单体封装中集成高边和低边MOSFET，导通电阻和导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中MOSFET的重要优值系数（FOM）达到业界出色水平。

集成式MOSFET采用无导线内部结构，最大限度降低寄生电感实现高频开关，从而减小磁器件和最终设计的尺寸。其优化的Qgd / Qgs比降低噪声，进一步增强器件的开关特性。SiZ240DT经过100 % Rg和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。

SiZ240DT中的两个TrenchFET® MOSFET内部采用半桥配置连接。SiZ240DT的通道1 MOSFET，通常用作同步降压转换器的控制开关，10 V时最大导通电阻为8.05 mΩ，4.5 V时为12.25 mΩ。

制造商:Cypress Semiconductor产品种类:监控电路RoHS: 类型:Voltage Supervisory安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-14阈值电压:3.9 V, 4.4 V被监测输入数:2 Input输出类型:Active Low, Bidirectional人工复位:Manual Reset看门狗计时器:Watchdog电池备用开关:Backup重置延迟时间:200 ms电源电压-最大:5.5 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:封装:Tube商标:Cypress Semiconductor过电压阈值:4.4 V欠电压阈值:3.9 V湿度敏感性:Yes工作电源电流:1500 uA功率失效检测:Yes产品类型:Supervisory Circuits112子类别:PMIC - Power Management ICs电源电压-最小:4 V单位重量:338 mg

通道2 MOSFET，通常用作同步开关，10 V时导通电阻为8.41 mΩ，4.5 V时为13.30 mΩ。这些值比紧随其后的竞品低16 %。结合6.9 nC（通道1）和6.5 nC（通道2）低栅极电荷，导通电阻与栅极电荷乘积FOM比位居第二的器件低14 %，有助于提高快速开关应用的效率。

双MOSFET比采用6 mm x 5 mm封装的双器件小65 %，是目前市场上体积最小的集成产品之一。除用于同步降压，DC/DC转换半桥功率级之外，新型器件还为设计师提供节省空间的解决方案，适用于真空吸尘器、无人机、电动工具、家庭/办公自动化和非植入式医疗设备的电机控制，以及电信设备和服务器的无线充电器和开关电源.

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