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带宽和更低功耗之外的实用性

发布时间:2020/9/17 22:46:15 访问次数:927

完整的Lakefield封装尺寸仅为12x12x1mm,可在笔记本电脑和智能手机之间实现新型设备。但是我们不希望Foveros仅服务于低功耗应用。在2019年HotChips问答环节中,英特尔研究员Wilfred Gomes 预测了该技术的未来普及性。我们设计Foveros的方式,它涵盖了整个计算范围,从最低端的设备到最高端的设备。

微缩为我们提供了另一个需要考虑的变量,封装路线图按互连密度(每平方毫米的微凸起数量)和功率效率(每传输的数据比特消耗的能量pJ)绘制了每种技术。除Foveros之外,英特尔还追求芯片上混合键合,以进一步推动这两个指标。期望达到超过10,000个凸块/mm?和小于0.05 pJ / bit。

混合使用2.5D和3D封装技术可产生Co-EMIB,从而可以在同一封装上实现大于标线的基本裸片以及Foveros裸片堆叠。

制造商

Microchip Technology

制造商零件编号

SST89V516RD2-33-C-TQJE

描述

IC MCU 8BIT 72KB FLASH 44TQFP

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 (MSL) 3(168 小时)

详细描述 8051-微控制器-IC-series-8-位-33MHz-72KB(72K-x-8)-闪存-44-TQFP(10x10)

核心处理器 8051

核心尺寸 8-位

速度 33MHz

连接性 EBI/EMI,SPI,UART/USART

外设 欠压检测/复位,POR,WDT

I/O 数 36

程序存储容量 72KB(72K x 8)

程序存储器类型 闪存

EEPROM 容量 -

RAM 容量 1K x 8

电压 - 电源(Vcc/Vdd) 2.7V ~ 3.6V

数据转换器 -

振荡器类型 外部

工作温度 0°C ~ 70°C(TA)

安装类型 表面贴装

封装/外壳 44-TQFP

供应商器件封装 44-TQFP(10x10)

但是先进的封装技术可以提供更高带宽和更低功耗之外的实用性。EMIB和Foveros的组合-被称为Co-EMIB-有望提供超越任何一种方法的扩展机会。尚无Co-EMIB的实际示例。想象大型有机程序包具有连接Fovoros堆栈的嵌入式桥,这些桥结合了加速器和内存以进行高性能计算。

英特尔的全向接口(ODI)通过彼此相邻地连接小芯片,连接垂直堆叠的小芯片并直接通过铜柱为堆叠中的顶部芯片供电,从而提供了更大的灵活性。这些支柱比Foveros堆叠中穿过基本芯片的TSV大,从而最大程度地降低了电阻并改善了功率输出。可以任意方向连接管芯并在较小的顶部堆叠较大的瓦片的自由度为Intel提供了迫切需要的布局灵活性。在Foveros的功能基础上,这看起来是一项很有前途的技术。


(素材:chinaaet和ttic.如涉版权请联系删除)

完整的Lakefield封装尺寸仅为12x12x1mm,可在笔记本电脑和智能手机之间实现新型设备。但是我们不希望Foveros仅服务于低功耗应用。在2019年HotChips问答环节中,英特尔研究员Wilfred Gomes 预测了该技术的未来普及性。我们设计Foveros的方式,它涵盖了整个计算范围,从最低端的设备到最高端的设备。

微缩为我们提供了另一个需要考虑的变量,封装路线图按互连密度(每平方毫米的微凸起数量)和功率效率(每传输的数据比特消耗的能量pJ)绘制了每种技术。除Foveros之外,英特尔还追求芯片上混合键合,以进一步推动这两个指标。期望达到超过10,000个凸块/mm?和小于0.05 pJ / bit。

混合使用2.5D和3D封装技术可产生Co-EMIB,从而可以在同一封装上实现大于标线的基本裸片以及Foveros裸片堆叠。

制造商

Microchip Technology

制造商零件编号

SST89V516RD2-33-C-TQJE

描述

IC MCU 8BIT 72KB FLASH 44TQFP

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 (MSL) 3(168 小时)

详细描述 8051-微控制器-IC-series-8-位-33MHz-72KB(72K-x-8)-闪存-44-TQFP(10x10)

核心处理器 8051

核心尺寸 8-位

速度 33MHz

连接性 EBI/EMI,SPI,UART/USART

外设 欠压检测/复位,POR,WDT

I/O 数 36

程序存储容量 72KB(72K x 8)

程序存储器类型 闪存

EEPROM 容量 -

RAM 容量 1K x 8

电压 - 电源(Vcc/Vdd) 2.7V ~ 3.6V

数据转换器 -

振荡器类型 外部

工作温度 0°C ~ 70°C(TA)

安装类型 表面贴装

封装/外壳 44-TQFP

供应商器件封装 44-TQFP(10x10)

但是先进的封装技术可以提供更高带宽和更低功耗之外的实用性。EMIB和Foveros的组合-被称为Co-EMIB-有望提供超越任何一种方法的扩展机会。尚无Co-EMIB的实际示例。想象大型有机程序包具有连接Fovoros堆栈的嵌入式桥,这些桥结合了加速器和内存以进行高性能计算。

英特尔的全向接口(ODI)通过彼此相邻地连接小芯片,连接垂直堆叠的小芯片并直接通过铜柱为堆叠中的顶部芯片供电,从而提供了更大的灵活性。这些支柱比Foveros堆叠中穿过基本芯片的TSV大,从而最大程度地降低了电阻并改善了功率输出。可以任意方向连接管芯并在较小的顶部堆叠较大的瓦片的自由度为Intel提供了迫切需要的布局灵活性。在Foveros的功能基础上,这看起来是一项很有前途的技术。


(素材:chinaaet和ttic.如涉版权请联系删除)

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