简化的SDRAM状态机

发布时间:2020/8/16 9:51:32 访问次数:816

SDRAM的完整状态机由17个状态构成，且状态转移是非随机的（如图2所示）。正是如此众多的状态及其复杂的转换关系，导致SDRAM的控制较为复杂。

需要特别说明的是，SDRAM的状态转移有自动转移与人工转移之分（图2中以粗细箭头加以区别）。自动转移在当前状态结束后立即进入下一个状态；而人工转移在当前状态结束后即停留在当前状态，只有一条当前状态允许的命令才能进入下一个状态。

可以想象，自行设计如此复杂的控制流程绝非易事。值得庆幸的是，在大多数应用中并不需要完备的状态机。

简化的状态流程,根据任意波形发生器的特点，对SDRAM的功能进行了以下简化：

省略随机存取功能，固定为顺序读写；

省略待机、自刷新、普通读/写功能；

省略所有的挂起功能；

工作模式固定为突发式读、单个式写；

数据延时固定为3个时钟周期；

刷新模式只使用自动刷新方式，器件空闲时即处于连续的自动刷新状态；

器件仅在上电后进行一次初始化，不能改变工作模式；

突发方式固定为顺序方式，突发长度固定为整页；

只使用带预充电的读/写指令；在每次读/写操作完成后，即启动一个自动刷新周期。

供应英飞凌模块 FS200R06KE3

型号：FS200R06KE3(德国进口/全新原装）

制造商：英飞凌Infineon/EUPEC

产品种类：IGBT 模块

品质：全新原装

电压：600 V

电流：150 A

工作温度:145C

BSM100GB60DLC 模块性能：

绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

高源阻抗和低误差要求会对绝缘电阻提出不切实际的高要求。ADA4530-1的保护技术可将此类要求降低到合理水平。其原理是用另一种驱动到相同电位的导体（保护环）包围高阻抗导体。如果（高阻抗导体与保护环之间的）绝缘电阻上没有电压，那么就不会有任何电流流经其中。ADA4530-1内部使用保护技术，集成了超高性能的保护环缓冲器。此缓冲器的输出可供外部使用，以便简化电路级的保护实现。为了显示保护的实施方式，电压缓冲器电路经过修改。该模型中增加了一个导体(VGRD)，它将高阻抗 (A) 节点与不同电压的低阻抗 (B) 节点完全隔开。绝缘电阻用两个电阻来模拟：A导体与保护导体之间的所有绝缘电阻 (RSHUNT1)，以及保护导体与B导体之间的所有绝缘电阻(RSHUNT2)。然后，ADA4530-1保护环缓冲器将此保护导体（通过引脚2和引脚7）驱动到A端电压。若A节点和VGRD节点的电压完全相同，就不会有电流流经绝缘电阻RSHUNT1。