LMG341xR070是集成了驱动器和保护特性的GaN功率级,在功率电子系统中达到新高度的功率密度和效率.和硅MOSFET相比, LMG341x系列的固有优势是超低输入和输出电容,零反向恢复以降低开关损耗达80%之多,而低开关节点振铃则降低了EMI.这些优点使得功率密度和拓扑类似于图腾柱PFC.集成的驱动器具有零共源电感,MHz工作时20ns传输时延,可调栅极偏压增加了可靠性,用户可调整转换速率从25到100V/ns.强健的保护特性包括不需要外接保护元件,小于100ns响应的过流保护,大于150V/ns的转换速率免疫性,瞬态过压免疫性以及超温保护,所有电源轨上有UVLO保护.器件对级联或单独使用都有优秀的性能,用于开关性能和EMI控制的可调整的驱动强度,具有数字故障状态输出信号,仅需要+12V未稳压电源, 8mm x 8mm QFN封装.主要用在高密度工业和消费类电源,多级转换器,太阳能逆变器,工业马达驱动,UPS和高压电池充电器.

1/16砖式、300 W DC / DC稳压器（EPC9143）。 EPC9143功率模块把Microchip dsPIC33CK数字信号控制器（DSC）和最新一代eGaN FET（EPC2053）集成在一起，实现25 A、48 V/12 V和96％效率的功率转换。

500 kHz开关频率在非常小的1/16砖式转换器实现300 W功率，其尺寸仅为33 毫米 x 22.9 毫米（1.3 x 0.9英寸）。

可扩展的两相设计可以增加相数，从而进一步提高功率。 由于Microchip数字控制器具有高灵活性，因此允许在8 V至72 V范围内调节输入电压，而输出电压在3.3 V至25 V范围内。

砖式DC/DC转换器广泛用于数据中心、电信和汽车应用，可将48 V标称电压转换为12 V配电总线输出电压。 鉴于给定的外形尺寸，业界的主要趋势是朝着需要更高的功率密度方向发展。 其中一个主要应用，是高密度48V/12V负载点（POL）转换器，需要12V输出的稳压功率，例如用于通用PCIe卡和存储。

eGaN®FET和集成电路具备快速开关、小尺寸和低成本等优势，能够以少元件数量和低成本满足这些前沿应用对功率密度的严格要求。

标准包装：10,000类别：电容器家庭：陶瓷电容器系列：GRM包装：带卷（TR）电容：5pF容差：±0.25pF电压 - 额定：50V温度系数：C0G，NP0安装类型：表面贴装，MLCC工作温度：-55°C ~ 125°C应用：通用等级：-封装/外壳：0402（1005 公制）大小/尺寸：0.039" 长 x 0.020" 宽（1.00mm x 0.50mm）高度 - 安装（最大值）：-厚度（最大值）：0.022"（0.55mm）引线间距：-特性：-引线形式：-其它名称：490-1274-2

产品种类：Silicone Power Resistors电阻：4.7 Ohms功率额定值：1 W容差：5 %温度系数：50 PPM / C端接类型：Axial工作温度范围：- 65 C to + 250 C商标：Vishay / Dale外壳直径：2.16 mm外壳长度：6.35 mm封装：Reel产品：Power Resistors Wirewound Silicone Coated系列：GROHS：无铅

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