华为新款麒麟旗舰处理器都会在每年秋季推出。苹果 A14 处理器和麒麟 1020 处理器将是首批使用 5nm 工艺的旗舰芯片。

5nm 新麒麟芯片的成本介于苹果 A14 与 Apple ARM CPU 之间。这款麒麟芯片的大小也在后两者之间。

华为麒麟 1020 预计将采用 ARM Cortex-A78 架构。得益于 5nm 工艺，麒麟 1020 每平方毫米可容纳 1.713 亿个晶体管，其性能较麒麟 990 提升 50%。

rpmh制造商: ROHM Semiconductor

产品种类: 低压差稳压器

RoHS: 详细信息

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: HTSOP-J-8

输出电压: 3.3 V

输出电流: 1 A

输出端数量: 1 Output

最大输入电压: 5.5 V

最小输入电压: 2.4 V

输出类型: Fixed

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 105 C

回动电压: 400 mV

资格: AEC-Q100

系列: BD33IC0MEFJ

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

产品: LDO Voltage Regulators

类型: Automotive LDO Regulator

商标: ROHM Semiconductor

回动电压—最大值: 600 mV

输出电压范围: -

Ib - 输入偏流: 250 uA

线路调整率: 25 mV

负载调节: 25 mV

Pd-功率耗散: 2.11 W

产品类型: LDO Voltage Regulators

工厂包装数量: 2500

子类别: PMIC - Power Management ICs

零件号别名: BD33IC0MEFJ-M

单位重量: 54 mg

Radix-4蝶形运算单元是整个FFT处理器中的核心部件。在用Radix-4运算器计算时需要并行输入数据，如果能以并发数据输入的话，则同步性和控制度较好，但实际上常要进行串并之间的转换。存储RAM按单节拍输出16 b位宽数据，选择器不停旋转送入到确定的位置，每4点全部到位后R-4使能有效;然后4个时钟节拍得到有效结果数据，再通过选择器旋转送入到对应存储 RAM中。

复数运算中，对应复数的实部和虚部RAM用同一个地址发生器。地址发生器在进行RAM地址发生时采用两套地址，第一套是计数器按时钟节拍顺序产生的，用于输入数据的存储;第二套是由数据宽度为16 b的ROM产生的，ROM中存放的数据为下级运算所需倒序的序列地址，发生地址给RAM，然后RAM按倒序地址输出下级需要进行运算的数据。

数字信号处理系统可分为定点制、浮点制和块浮点制，它们在实现时对系统资源的要求不同，工作速度也不同，有着不同的适用范围。定点制算法简单，速度快，但动态范围有限，需要用合适的溢出控制规则(如定比例法)适当压缩输入信号的动态范围。浮点表示法动态范围大，可避免溢出，但系统实现复杂，硬件需求量大，速度慢。

存储器RAM设计为64×16 b的双端口RAM，即在时钟信号和写控制信号同时为低电平时，从输入总线写入RAM;在时钟信号和读控制信号同时为高电平时，从RAM输出数据。

ROM为17×16 b的ROM，储存经过量化后的旋转因子，旋转因子为正弦函数和余弦函数的组合。

磁珠在PCB板上布局安装时，不得在直插接插件的3cm范围内，平插接插件不受此限制;

磁环在导线上安装后，需要进行固定，固定材料使用硅胶，热熔后粘接方式固定;

磁珠的失效机理之一是热失效，失效的原因是磁珠上通过了较大的电流，电流在磁珠的直流电阻Rdc上产生热耗(Q=I2*Rdc)，热量较大不能及时被散掉，会导致磁珠整体受热不均匀，从而产生内应力导致出现裂纹，裂纹的出现，使导磁材料的导磁性能受到损伤，因此高频波动信号在导磁材料上的磁力线传输受到影响，使滤波效果变差。

电源额定电压3.3V、额定电流300mA，电路板上的远端IC要求电源电压最低不得低于3.0V，并且要求对于100MHZ、300mVpp的噪声，经过磁珠滤波后能达到50mVpp的水平

解：

则对于100MHz的信号，300mV的噪声需要滤波后衰减到50mV，意即在磁珠上分压要达到250mV，假设负载RL=50Ω。则Rac/RL=250/50，其中RL=50Ω，得Rac=250Ω(在100MHz时)

电源额定电流300mA，降额系数按照0.75，则选择最小额定电流不低于300mA / 0.75 = 400 mA的磁珠;

IC要求电源电压最低不得低于3.0V，则磁珠上直流电阻Rdc上的最大压降须不大于0.3V，即300mA * Rdc < 0.3 V，得Rdc < 1 Ω。

选择磁珠指标符合以下要求：Rac≥250Ω(在100MHz时)、额定电流不低于400mA、Rdc<1 Ω。

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