控制器具有以下主要特性：集成低阻抗栅极驱动器，能够切换N通道MOSFET，从而降低整体转换器成本，提高效率；极低工作静态电流(5 µA)；40 V宽输入/输出电压范围；100 kHz至3 MHz的极高可编程开关频率范围；检测电阻或DCR检测可进一步提升效率；以及100%占空比。另外支持Spread Spectrum®（扩频）操作。LTC7803在±15%范围内调节开关频率，这可简化EMI合规要求并降低EMI滤波器成本。

扩频操作是LTC7803的一个重要优势。该特性大幅降低了转换器的辐射和传导噪声，并显著简化了整个系统对EMI标准的合规要求。图5比较了在CISPR 25 5类限制下，有扩频操作和无扩频操作的两次传导EMI扫描结果。

低IQ同步降压型控制器LTC7803可显著简化高效率功率转换器设计。它能够在各种输入/输出电压下工作，并具有出色的瞬态响应性能。LTC7803具有一些极重要的特性，如突发模式和扩频操作，进一步提高了效率和EMI标准合规性。

MOS晶体管的线性尺寸缩小了大约1000倍，而单片芯片上的晶体管数量增加了大约1500万倍。用来衡量集成密度这一显著进步的指标主要是称为晶体管半节距(half-pitch)或栅极长度(gate length)。幸运的是，在很长一段时间里，他们的数量几乎相同。

晶体管半节距（half-pitch）是指芯片内部互联线间距离的一半，也即光刻间距的一半。在二维晶体管或“平面”晶体管设计中，栅极长度测量晶体管的源极和漏极之间的空间。在这个空间里有控制源极和漏极之间电子流动的器件的栅极堆栈。它是决定晶体管性能的最重要的尺寸，因为较短的闸极长度意味着更快的开关设备。

在栅极长度和晶体管半节距大致相等的时代，它们成为芯片制造技术的标志性特征，每一代芯片上的这些功能通常会缩小30%。这样的缩小会使晶体管密度增加一倍，将矩形的x和y尺寸减小30%就意味着面积减半。

两种表示制造逻辑晶体管所需区域的实际限制的方法。一种叫做接触栅距（contacted gate pitch）。指的是从一个晶体管的栅极到另一个晶体管栅极的最小距离。另一个重要的度量——金属间距，测量两个水平连接之间的最小距离。

推出的5纳米芯片具有48nm的栅极间距，36nm的金属间距，以及单一层制米制G48M36T1。

该GMT度量标准的栅极间距和金属间距值将在整个十年中继续减小。然而，他们这样做的速度会越来越慢，按照目前的进展速度，大约在10年后达到终点。到那时，金属节距将接近极值紫外光刻技术所能解决的极限。虽然上一代光刻机的成本效益远远超过了193nm波长的可感知极限，但没人认为在极端紫外线下也会发生同样的事情。

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