这款升降压IC集成了很多外部器件，是TI首个完全集成功率MOSFET、充电路径管理FET、输入电流和充电电流检测电路和双输入选择驱动器这些组件的器件。相较于传统的升降压IC的控制器，它的整体应用面积也会更小一些。例如，在30W场景下对电池进行充电，这颗芯片可以达到97%的效率，在整个充电过程中，几乎不会感受到它的发热。伴随着高功率密度，在充电的过程中可以提供50%甚至更高的能量。此外，这颗器件还有低 IQ的设计，它的静态功耗只有1µA。在一年的存储状态下，器件的电量损耗大概在0.05%。

高集成度可以让开发者在使用时节省整体开发的时间，同时，TI提供了更多的设计参考文件在官网上，能够帮助开发者尽快进行终端产品设计。

BQ25790/2的应用除了在智能手机、平板电脑等个人电子产品之外，也适合工业类应用，如医疗类产品，这些产品需要更大的功率的器件，USB Type-C、USB PD接口可以让医疗产品享受到更快速以及温度更低的充电体验，且不需要专门的适配器。

高电流、小尺寸、隔离，TI新品各具特色

TPS546D24A是一款针对大电流、FPGA或处理器设计的产品，亮点是，它本身是可以堆叠的DC/DC转换器，单颗产品可以支持40A电流，当堆叠4颗时可以支持最高160A电流。其尺寸非常小，采用5 mm×7mm 方形扁平无引线（QFN）封装。同时开关频率高达1.5M，可以支持非常大的电流，在非常小的面积下，提高产品本身的效率。

TPS546D24A除了能够实现在设计上减少其他的外部元件，还能够减少最多达6个外部的补偿元件；由于它拥有了TI特别的QFN封装，使得热损耗更小，相比竞品在同等情况下，热损耗低13℃；这颗产品拥有非常小的导通电阻，整体设计上比其他业界同款产品效率提高3.5%；同时支持非常低的电压输出，输出电压误差小于1%，具有管脚复用可配置性，在非常高的精确度下，能够为产品提供更准确的设计。

TI的这款双向转换器能够支持900V，而且没有外围冷却风扇的情况下，峰值效率可以高达99.2%。该方案具有拓展性，是堆叠性的，它的功率密度能比传统的IGBT方案高出3倍左右。TI解决方案，包括C2000数字控制器产品，能够帮助客户实现完整的解决方案的设计。 以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料及相关器件芯片已成为全球高技术领域竞争战略制高争夺点。GaN具有独特的异质结电子结构和二维电子气，在此基础上研制的高电子迁移率晶体管(HEMT)是一种平面型器件，可以实现低导通电阻、高开关速度的优良特性。

将Dialog可扩展且高度灵活的GreenPAK技术结合到TDK的小尺寸高密度的电源模块解决方案中，减少了所需的元件数量，实现更紧凑、更可靠、更强大的电源解决方案，助力先进的工业嵌入式控制、IoT和5G应用。

Dialog的GreenPAK技术将产品生产周期缩短至仅4至6星期，支持大批量生产，并且加速了复杂系统电路板的开发周期。µPOL解决方案采用了先进的封装技术，如芯片内置基板封装（SESUB），使聚合的三维系统集成在更小尺寸和更薄的封装中。该合作有助于TDK提供相比市场现有方案具有更高功率密度和易用性的解决方案，并且整体系统成本也更低。例如，TDK的FS1406 6A电源模块能以3.3mm x 3.3mm x 1.5mm尺寸提供15W功率，其电流密度比最接近的竞争方案高4倍。

TI 150mΩ、70mΩ和50mΩ GaN FETs的完整产品组合已经进入批量生产阶段，最近TI也发表了其自主研发的一个对流冷却，能够提供900V、5kW双向AC/DC平台的产品，进一步扩展GaN 在汽车、并网存储和太阳能等领域的新应用。

(素材来源：chinaaet.如涉版权请联系删除。特别感谢)

深圳市永拓丰科技有限公司http://ytf02.51dzw.com/