整合意法半导体的Nucleo-G071RB和 X-Nucleo-USBPDM1开发板。Nucleo-G071RB搭载业界首款集成USB Type-C PD控制器的通用微控制器STM32G0，可以实现更高的系统集成度，以及支持新的用例。X-Nucleo-USBPDM1板载意法半导体的TCPP01-M12端口保护配套芯片。

此外，客户可以借助STM32生态系统的强大开发工具和软件，快速、轻松地完成研发项目。现有的基于老式5V USB充电功能的微控制器的产品，只需增加很少的外部组件即可升级到USB Type-C。 

STM32G0 MCU 和 TCPP01-M12 可以实现一个高效且经济的双片解决方案，能够控制和保护具有USB PD功能的USB Type-C端口，并能够满足嵌入式应用的需求。

TCPP01-M12高压模拟前端配套芯片集成一个用于控制外部功率开关管栅极的电荷泵，使设计人员可以选择经济划算且导通电阻RDS(on)小低于P沟道开关管的N沟道MOSFET。在低功耗模式下，当没有连接电缆时，芯片功耗为0nA，从而可以延长电池续航时间。

TCPP01-M12的内部电保护功能包括VBUS引脚上的5V-22V可调过压保护、配置通道引脚上的短接VBUS保护、无电电池管理、VBUS和CC引脚上高达±8kV的IEC 61000-4-2 ESD静电保护。TCPP01-M12的QFN12封装比分立器件方案少占电路板空间80%。

DCM2322低功耗系列隔离式稳压DC / DC转换器模块

Vicor 最小的 DC/DC 转换器，具有宽输入范围和高密度

Vicor 的 DCM2322 是一款低功率隔离稳压 DC/DC 转换器，可在非稳压宽范围输入下工作，提供隔离 12.0 VDC 输出。凭借高频零电压开关 (ZVS) 拓扑结构，DCM2322 转换器能够在整个输入线路范围内实现稳定的高能效。模块化 DCM 转换器和下游 DC/DC 产品支持高效配电，为负载点提供优异的电源系统性能以及与各种非稳压电源系统的连接。

特性

最高 120 W

最高峰值能效 90.8%

最高功率密度 482 W/in3

宽输入范围：9 V 至 154 V

应用

铁路运输

国防和航空航天

工业

工艺控制

30 V n沟道MOSFET半桥功率级模块---SiZF300DT，将高边TrenchFET®和低边SkyFET® MOSFET与集成式肖特基二极管组合在一个小型PowerPAIR® 3.3 mm x 3.3 mm封装中。Vishay Siliconix SiZF300DT提高了功率密度和效率，同时有助于减少元器件数量，简化设计，适用于计算和通信应用功率转换。

日前发布器件中的两个MOSFET采用半桥配置内部连接。 通道1 MOSFET在10 V和4.5 V条件下，最大导通电阻分别为4.5 mW和7.0 mW。通道2 MOSFET在10 V和4.5 V条件下，导通电阻分别为1.84 mW和2.57 mW。两个MOSFET典型栅极电荷分别为6.9 nC和19.4 nC。

SiZF300DT比6mm x 5mm封装类似导通电阻的双片器件节省65 %的空间，是市场上最紧凑的集成产品之一。器件为设计人员提供节省空间的解决方案，适用于图形加速卡、计算机、服务器以及通信和RF网络设备的负载点（POL）转换、电源以及同步降压和DC / DC转换器。

双MOSFET采用独特的引脚配置结构，电流相位输出电流比相同占位面积的同类产品高11 %，此外，输出电流超过20 A时具有更高的效率。器件引脚配置和大PGND 焊盘还可以增强散热，优化电路，简化PCB布局。

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