NMOS拓扑结构的低反向漏电流
发布时间:2020/6/26 10:45:21 访问次数:662
典型的9μA静态电流
800μs的典型上电时间可实现有效
功率循环架构
从而最大限度地降低电池供电设备的功耗
AB类输出驱动器提供强大的500μA最大输出
可驱动高达1000 pF的容性负载
并可直接连接到模数转换器采样和保持输入
TMP23x-Q1模拟输出温度传感器具有出色的精度
强大的线性输出驱动器
是无源热敏电阻的经济型替代方案
TMP235-Q1
特征
AEC-Q100适用于汽车应用
TMP235-Q1 0级:
-40°C至+ 150°C
TMP236-Q1 1级:
-40°C至+ 125°C
在很宽的温度范围内具有严格的精度:
±2.5°C(最大值):
- 40°C至+ 150°C(TMP235-Q1)
±2.5°C(最大值):
-10°C至+ 125°C(TMP236-Q1)
正斜率传感器增益
偏移(典型值):
10 mV /°C
0°C时500 mV(TMP235-Q1)
19.5 mV /°C
0°C时400 mV(TMP236-Q1)
宽工作电源电压范围:
2.3 V至5.5 V(TMP235-Q1)
3.1 V至5.5 V(TMP236-Q1)
短路保护输出
低功耗:9μA(典型值)
驱动负载高达1000 pF的强输出
可用的包装选项:
5针SC70(DCK)表面贴装
3引脚SOT-23(DBZ)表面贴装
足迹兼容行业标准
LMT8x-Q1
LM20温度传感器
无输出电容或任何值或类型的电容器稳定
输入电压范围为1.7 V至5.5 V.
超低压差:75 mV典型值
卓越的负载瞬态响应
- 带或不带可选输出电容器
新NMOS拓扑结构可提供低反向漏电流
低噪声:30μVRMS典型值
(10 Hz至100 kHz)
0.5%的初始准确度
线路
负载和温度的总体精度为1%
关断模式下的最大IQ小于1μA
热关断和指定的最小
最大电流限制保护
提供多种输出电压版本
固定输出为1.2 V至3.3 V.
可调输出范围为1.2 V至5.5 V.
自定义输出可用
应用
便携式/电池供电设备
开关电源的后监管
噪声敏感电路
如VCO
DSP
FPGA
ASIC
微处理器
负载点调节
UCC23513是一款光电兼容的单通道隔离栅极驱动器
用于IGBT
MOSFET
SiC MOSFET
具有4.5 A源极
5.3 A吸收峰值输出电流以及5.7 KVRMS增强隔离额定值
33V的高电源电压范围允许使用双极性电源
来有效驱动IGBT和SiC功率FET
UCC23513可以驱动低侧和高侧功率FET
与标准的基于光耦合器的栅极驱动器相比
主要特性和特性带来了显着的性能和可靠性升级
同时在原理图和布局设计中保持了引脚对引脚的兼容性
性能亮点包括高共模瞬变抗扰度(CMTI)
低传播延迟和小脉冲宽度失真
过程控制过紧会导致零件间偏差小
输入级是仿真二极管(ediode)
与传统LED相比
这意味着长期可靠性和出色的老化特性
它采用拉伸SO6封装
具有> 8.5mm的爬电距离和间隙
以及材料组I的模塑化合物
其具有比较跟踪指数(CTI)> 600V
(素材来源:21IC和ttic和eechina.如涉版权请联系删除。特别感谢)
深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/
典型的9μA静态电流
800μs的典型上电时间可实现有效
功率循环架构
从而最大限度地降低电池供电设备的功耗
AB类输出驱动器提供强大的500μA最大输出
可驱动高达1000 pF的容性负载
并可直接连接到模数转换器采样和保持输入
TMP23x-Q1模拟输出温度传感器具有出色的精度
强大的线性输出驱动器
是无源热敏电阻的经济型替代方案
TMP235-Q1
特征
AEC-Q100适用于汽车应用
TMP235-Q1 0级:
-40°C至+ 150°C
TMP236-Q1 1级:
-40°C至+ 125°C
在很宽的温度范围内具有严格的精度:
±2.5°C(最大值):
- 40°C至+ 150°C(TMP235-Q1)
±2.5°C(最大值):
-10°C至+ 125°C(TMP236-Q1)
正斜率传感器增益
偏移(典型值):
10 mV /°C
0°C时500 mV(TMP235-Q1)
19.5 mV /°C
0°C时400 mV(TMP236-Q1)
宽工作电源电压范围:
2.3 V至5.5 V(TMP235-Q1)
3.1 V至5.5 V(TMP236-Q1)
短路保护输出
低功耗:9μA(典型值)
驱动负载高达1000 pF的强输出
可用的包装选项:
5针SC70(DCK)表面贴装
3引脚SOT-23(DBZ)表面贴装
足迹兼容行业标准
LMT8x-Q1
LM20温度传感器
无输出电容或任何值或类型的电容器稳定
输入电压范围为1.7 V至5.5 V.
超低压差:75 mV典型值
卓越的负载瞬态响应
- 带或不带可选输出电容器
新NMOS拓扑结构可提供低反向漏电流
低噪声:30μVRMS典型值
(10 Hz至100 kHz)
0.5%的初始准确度
线路
负载和温度的总体精度为1%
关断模式下的最大IQ小于1μA
热关断和指定的最小
最大电流限制保护
提供多种输出电压版本
固定输出为1.2 V至3.3 V.
可调输出范围为1.2 V至5.5 V.
自定义输出可用
应用
便携式/电池供电设备
开关电源的后监管
噪声敏感电路
如VCO
DSP
FPGA
ASIC
微处理器
负载点调节
UCC23513是一款光电兼容的单通道隔离栅极驱动器
用于IGBT
MOSFET
SiC MOSFET
具有4.5 A源极
5.3 A吸收峰值输出电流以及5.7 KVRMS增强隔离额定值
33V的高电源电压范围允许使用双极性电源
来有效驱动IGBT和SiC功率FET
UCC23513可以驱动低侧和高侧功率FET
与标准的基于光耦合器的栅极驱动器相比
主要特性和特性带来了显着的性能和可靠性升级
同时在原理图和布局设计中保持了引脚对引脚的兼容性
性能亮点包括高共模瞬变抗扰度(CMTI)
低传播延迟和小脉冲宽度失真
过程控制过紧会导致零件间偏差小
输入级是仿真二极管(ediode)
与传统LED相比
这意味着长期可靠性和出色的老化特性
它采用拉伸SO6封装
具有> 8.5mm的爬电距离和间隙
以及材料组I的模塑化合物
其具有比较跟踪指数(CTI)> 600V
(素材来源:21IC和ttic和eechina.如涉版权请联系删除。特别感谢)
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