低导通电阻和高速开关性能
发布时间:2020/6/20 8:55:04 访问次数:358
SM9000热管散热器(Heat Pipe),当连接器空间有限的时候可透过热管将热量转移至与连接器相近的客制散热器进行冷却,此方法成效极高。由于客制散热器创造更大的散热空间而比单一散热器能转移更多的热能,因此对于5G或更高时代的到来至关重要。
Nextron 正凌通过多年的经验与独特的设计定制设计了热管散热器的解决方案。概念是在两层之间插入金属块,通过连接金属块和客制散热器之间的热管将热量转移。结果表明在低至2 CFM的空气流量下,散热性能可提高23.9%,这是对标准解决方案的巨大改进。 Nextron 正凌能够通过利用系统中的可用空间来最大化散热性能,从而为有效客户提供有效的解决方案。
Nextron 正凌在与全球主要品牌合作解决散热问题方面具有丰富的经验。 借助内部仿真软件(如SolidWorks)和风道测试设备,Nextron 正凌致力于散热解决方案,经过一系列可靠的检验,以确保产品合格。 在产品开发方面透过成功的经验和经验丰富的工程团队,Nextron 正凌精密工业致力以最优惠的价格为客户设计和实现与竞争对手相比的客制散热解决方案。
工业和医疗市场,对低压传感功能的需求不断增长。从暖通空调和气体流量,到持续气道正压通气 (CPAP)、通风和患者监测应用,检测小压力变化的能力至关重要。这种技术要求压力传感器高度精确,并能够在坚固、紧凑的封装中提供长期稳定性。TE Connectivity (TE) 推出的基于微机电系统 (MEMS) 的 SMI 压力传感器可满足这些需求,并提供一些最低压力传感范围。
来自 TE 的 SMI 压力传感器包括超低压 (SM9000)、低压 (SM7000/6000/5000) 和中压 (SM4000/1000) 系列。这些传感器使用压阻技术和信号处理功能来提供补偿输出,从而使表压和压差感应低至 125 Pa(0.5 英寸水柱)。这些传感器能够检测细微的压力变化,且精确度高,可提供长期稳定性(补偿温度范围内总误差不超过 1%)。
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出“1200V 第4代SiC MOSFET※1,非常适用于包括主机逆变器在内的车载动力总成系统和工业设备的电源。
对于功率半导体来说,当导通电阻降低时短路耐受时间就会缩短,两者之间存在着矛盾权衡关系,因此在降低SiC MOSFET的导通电阻时,如何兼顾短路耐受时间一直是一个挑战。此次开发的新产品,通过进一步改进ROHM独有的双沟槽结构,改善了二者之间的矛盾权衡关系,与以往产品相比,在不牺牲短路耐受时间的前提下成功地将单位面积的导通电阻降低了约40%。 而且,通过大幅减少寄生电容(开关过程中的课题),与以往产品相比,成功地将开关损耗降低了约50%。
采用低导通电阻和高速开关性能兼具的第4代 SiC MOSFET,将非常有助于显著缩小车载逆变器和各种开关电源等众多应用的体积并进一步降低其功耗。
电动汽车(xEV)的进一步普及,促进了更高效、更小型、更轻量的电动系统的开发。特别是在驱动中发挥核心作用的主机逆变器系统,其小型高效化已成为重要课题之一,这就要求进一步改进功率元器件。
(素材来源:21IC和ttic和eechina.如涉版权请联系删除。特别感谢)
深圳市斌能达电子科技有限公司http://jkic888.51dzw.com/
SM9000热管散热器(Heat Pipe),当连接器空间有限的时候可透过热管将热量转移至与连接器相近的客制散热器进行冷却,此方法成效极高。由于客制散热器创造更大的散热空间而比单一散热器能转移更多的热能,因此对于5G或更高时代的到来至关重要。
Nextron 正凌通过多年的经验与独特的设计定制设计了热管散热器的解决方案。概念是在两层之间插入金属块,通过连接金属块和客制散热器之间的热管将热量转移。结果表明在低至2 CFM的空气流量下,散热性能可提高23.9%,这是对标准解决方案的巨大改进。 Nextron 正凌能够通过利用系统中的可用空间来最大化散热性能,从而为有效客户提供有效的解决方案。
Nextron 正凌在与全球主要品牌合作解决散热问题方面具有丰富的经验。 借助内部仿真软件(如SolidWorks)和风道测试设备,Nextron 正凌致力于散热解决方案,经过一系列可靠的检验,以确保产品合格。 在产品开发方面透过成功的经验和经验丰富的工程团队,Nextron 正凌精密工业致力以最优惠的价格为客户设计和实现与竞争对手相比的客制散热解决方案。
工业和医疗市场,对低压传感功能的需求不断增长。从暖通空调和气体流量,到持续气道正压通气 (CPAP)、通风和患者监测应用,检测小压力变化的能力至关重要。这种技术要求压力传感器高度精确,并能够在坚固、紧凑的封装中提供长期稳定性。TE Connectivity (TE) 推出的基于微机电系统 (MEMS) 的 SMI 压力传感器可满足这些需求,并提供一些最低压力传感范围。
来自 TE 的 SMI 压力传感器包括超低压 (SM9000)、低压 (SM7000/6000/5000) 和中压 (SM4000/1000) 系列。这些传感器使用压阻技术和信号处理功能来提供补偿输出,从而使表压和压差感应低至 125 Pa(0.5 英寸水柱)。这些传感器能够检测细微的压力变化,且精确度高,可提供长期稳定性(补偿温度范围内总误差不超过 1%)。
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出“1200V 第4代SiC MOSFET※1,非常适用于包括主机逆变器在内的车载动力总成系统和工业设备的电源。
对于功率半导体来说,当导通电阻降低时短路耐受时间就会缩短,两者之间存在着矛盾权衡关系,因此在降低SiC MOSFET的导通电阻时,如何兼顾短路耐受时间一直是一个挑战。此次开发的新产品,通过进一步改进ROHM独有的双沟槽结构,改善了二者之间的矛盾权衡关系,与以往产品相比,在不牺牲短路耐受时间的前提下成功地将单位面积的导通电阻降低了约40%。 而且,通过大幅减少寄生电容(开关过程中的课题),与以往产品相比,成功地将开关损耗降低了约50%。
采用低导通电阻和高速开关性能兼具的第4代 SiC MOSFET,将非常有助于显著缩小车载逆变器和各种开关电源等众多应用的体积并进一步降低其功耗。
电动汽车(xEV)的进一步普及,促进了更高效、更小型、更轻量的电动系统的开发。特别是在驱动中发挥核心作用的主机逆变器系统,其小型高效化已成为重要课题之一,这就要求进一步改进功率元器件。
(素材来源:21IC和ttic和eechina.如涉版权请联系删除。特别感谢)
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