制造商:Infineon产品种类:IGBT 模块RoHS: 详细信息商标:Infineon Technologies产品:IGBT Silicon Modules配置:Hex集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V集电极—射极饱和电压:1.7 V在25 C的连续集电极电流:205 A栅极—射极漏泄电流:400 nA最大工作温度:+ 125 C封装 / 箱体:EconoPACK封装:Tray栅极/发射极最大电压:+/- 20 V最小工作温度:- 40 C安装风格:ScrewPd-功率耗散:700 W工厂包装数量:10

OPA277UA/2K5数据表

制造商: Texas Instruments

产品种类: 精密放大器

RoHS:  详细信息  

系列: OPA277

通道数量: 1 Channel

GBP-增益带宽产品: 1 MHz

SR - 转换速率 : 0.8 V/us

CMRR - 共模抑制比: 130 dB to 140 dB

Ib - 输入偏流: 1 nA

Vos - 输入偏置电压 : 0.02 mV

en - 输入电压噪声密度: 12 nV/sqrt Hz

工作电源电流: 790 uA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

关闭: No Shutdown

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-8

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

放大器类型: Low Offset Amplifier  

特点: Small Size  

高度: 1.58 mm  

输入类型: Rail to Rail  

长度: 4.9 mm  

输出类型: Rail to Rail  

产品: Precision Amplifiers  

电源类型: Dual  

技术: Bipolar  

宽度: 3.91 mm  

商标: Texas Instruments  

双重电源电压: +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V  

In—输入噪声电流密度: 0.2 pA/sqrt Hz  

最大双重电源电压: +/- 18 V  

最小双重电源电压: +/- 2 V  

湿度敏感性: Yes  

工作电源电压: +/- 2 V to +/- 18 V  

产品类型: Precision Amplifiers  

PSRR - 电源抑制比: 130.46 dB  

工厂包装数量: 2500  

子类别: Amplifier ICs  

电压增益 dB: 140 dB  

单位重量: 76 mg  

大规模数模混合集成电路，将主要针对各种工业级和医疗电子应用，如安检系统、医疗CT扫描、红外探测、工业无损探伤和光电转换等。该芯片是国内首款高集成度、高性能、抗恶劣环境多通道微弱信号放大芯片。 随着我国社会发展和基础设施建设速度加快，针对各种工业应用和医疗应用的系统设备市场快速成长，但在这些领域内的许多系统开发商却长期受制于国外技术，很难实现芯片级的系统开发和创新。北京东微通过与国内系统厂商的深入交流，提出了用创新替代国外同类产品的构想。本次推出的EMT1010基于创新的时钟延迟技术，可利用32通道将X光、红外线等射线传感器产生的微弱电流信号（pA级）同时进行放大和输出，经过A/D转换后实现快速计算机成像。 为了给系统厂商带来最高的性能价格比，采用了标准的CMOS工艺技术；同时针对微弱电流信号探测领域应用需求差异性较大的特点，制定了用高集成度、多通道、环境适应性强的性能，来应对不同应用需求的产品策略。EMT1010可将安检设备、医疗电子设备、光电及红外设备等应用的模拟前端功能模块性价比大幅度提高。 EMT1010具有良好的放大线形度和快速响应能力，以及优化的输出噪声，它采用QFP64封装形式。 EMT1010主要参数： 微弱电流信号探测范围 10pA～10nA 线性度误差 ≤0.1% 输出噪声 60μV[rms] 电荷存储动态范围 18pC、12pC、10pC、6pC 积分时间 2ms～20ms 读出速率 ≤3.125KSPS 系统主时钟 0.1MHz～1MHz 功耗 7.5mW/channel

(素材来源：21IC和ttic和eechina.如涉版权请联系删除。特别感谢）

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