压阻式传感器的应用
发布时间:2020/5/26 23:20:47 访问次数:1843
W24512SDV压阻式传感器利用单晶硅材料的压阻效应和集成电路技术制成的传感器。单晶硅材料在受到力的作用后，电阻率发生变化，通过测量电路就可得到正比于力变化的电信号输出。压阻式传感器用于压力、拉力、压力差和可以转变为力的变化的其他物理量（如液位、加速度、重量、应变、流量、真空度）的测量和控制。
单个传感器直径仅2.36毫米，固有频率高达300千赫，非线性和滞后均为全量程的±0.22%。在生物医学方面，压阻式传感器也是理想的检测工具。已制成扩散硅膜薄到10微米，外径仅0.5毫米的注射针型压阻式压力传感器和能测量心血管、颅内、尿道、子宫和眼球内压力的传感器。图3是一种用于测量脑压的传感器的结构图。压阻式传感器还有效地应用于爆炸压力和冲击波的测量、真空测量、监测和控制汽车发动机的性能以及诸如测量枪炮膛内压力、发射冲击波等兵器方面的测量。此外，在油井压力测量、随钻测向和测位地下密封电缆故障点的检测以及流量和液位测量等方面都广泛应用压阻式传感器。随着微电子技术和计算机的进一步发展，压阻式传感器的应用还将迅速发展。
TPS560430 Datasheet;
标准包装
3,000
包装
标准卷带
零件状态
有源
类别
集成电路（IC）
产品族
PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器
系列
SIMPLE SWITCHER®
其它名称
296-50420-2
TPS560430XDBVR-ND规格
功能
降压
输出配置
正
拓扑
降压
输出类型
PFM
输出数
1
电压 - 输入（最小值）
4V
电压 - 输入（最大值）
36V
电压 - 输出（最小值/固定）
1V
电压 - 输出（最大值）
34.2V
电流 - 输出
600mA
频率 - 开关
1.1MHz
同步整流器
是
工作温度
-40°C ~ 125°C （TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-23-6
供应商器件封装
SOT-23-6
超薄介质，由于存在大的漏电和非线性，通过标准I-V和C-V测试不能直接提取氧化层电容(Cox)。然而，使用高频电路模型则能够精确提取这些参数。随着业界迈向65nm及以下的节点，对于高性能/低成本数字电路，RF电路，以及模拟/数模混合电路中的器件，这方面的挑战也在增加。减少使用RF技术的建议是在以下特定的假设下提出来：假设RF技术不能有效地应用，尤其是在生产的环境下，这在过去的确一直是这种情况。但是，现在纳米软件NSAT-1000自动化测试系统能够进行参数设置，测试系统能够快速、准确、可重复地提取RF参数，几乎和DC测试一样容易。最重要的是，通过自动校准、去除处理(de-embedding)以及根据待测器件(DUT)特性进行参数提取，探针接触特性的自动调整，已经能够实现RF的完整测试。这方面的发展使得不必需要RF专家来保证得到好的测试结果。
深圳市金嘉锐电子有限公司http://xczykj.51dzw.com/
W24512SDV压阻式传感器利用单晶硅材料的压阻效应和集成电路技术制成的传感器。单晶硅材料在受到力的作用后，电阻率发生变化，通过测量电路就可得到正比于力变化的电信号输出。压阻式传感器用于压力、拉力、压力差和可以转变为力的变化的其他物理量（如液位、加速度、重量、应变、流量、真空度）的测量和控制。
单个传感器直径仅2.36毫米，固有频率高达300千赫，非线性和滞后均为全量程的±0.22%。在生物医学方面，压阻式传感器也是理想的检测工具。已制成扩散硅膜薄到10微米，外径仅0.5毫米的注射针型压阻式压力传感器和能测量心血管、颅内、尿道、子宫和眼球内压力的传感器。图3是一种用于测量脑压的传感器的结构图。压阻式传感器还有效地应用于爆炸压力和冲击波的测量、真空测量、监测和控制汽车发动机的性能以及诸如测量枪炮膛内压力、发射冲击波等兵器方面的测量。此外，在油井压力测量、随钻测向和测位地下密封电缆故障点的检测以及流量和液位测量等方面都广泛应用压阻式传感器。随着微电子技术和计算机的进一步发展，压阻式传感器的应用还将迅速发展。
TPS560430 Datasheet;
标准包装
3,000
包装
标准卷带
零件状态
有源
类别
集成电路（IC）
产品族
PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器
系列
SIMPLE SWITCHER®
其它名称
296-50420-2
TPS560430XDBVR-ND规格
功能
降压
输出配置
正
拓扑
降压
输出类型
PFM
输出数
1
电压 - 输入（最小值）
4V
电压 - 输入（最大值）
36V
电压 - 输出（最小值/固定）
1V
电压 - 输出（最大值）
34.2V
电流 - 输出
600mA
频率 - 开关
1.1MHz
同步整流器
是
工作温度
-40°C ~ 125°C （TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-23-6
供应商器件封装
SOT-23-6
超薄介质，由于存在大的漏电和非线性，通过标准I-V和C-V测试不能直接提取氧化层电容(Cox)。然而，使用高频电路模型则能够精确提取这些参数。随着业界迈向65nm及以下的节点，对于高性能/低成本数字电路，RF电路，以及模拟/数模混合电路中的器件，这方面的挑战也在增加。减少使用RF技术的建议是在以下特定的假设下提出来：假设RF技术不能有效地应用，尤其是在生产的环境下，这在过去的确一直是这种情况。但是，现在纳米软件NSAT-1000自动化测试系统能够进行参数设置，测试系统能够快速、准确、可重复地提取RF参数，几乎和DC测试一样容易。最重要的是，通过自动校准、去除处理(de-embedding)以及根据待测器件(DUT)特性进行参数提取，探针接触特性的自动调整，已经能够实现RF的完整测试。这方面的发展使得不必需要RF专家来保证得到好的测试结果。
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